| 講演名 | 2004/4/9 シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般) 佐道 泰造, 村上 裕二, 吉武 剛, 板倉 賢, 榎田 豊次, 宮尾 正信, |
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| 抄録(和) | シリサイド半導体β-FeSi_2のエネルギーギャップの変調を目指し,Ge原子の導入による歪β-FeSi_2(Ge)結晶の形成と格子歪み評価を行った.[非晶質Si/非晶質Fe_<0.4>Si_<0.5>Ge_<0.1>]_n/結晶Si多層構造試料(n=1,2,4)を用い,700～900℃,30分,真空中で熱処理を施すことにより,歪β-FeSi_2(Ge)結晶の形成を試みた.X線回折測定の結果,熱処理温度700℃において歪β-FeSi_2(Ge)結晶が形成されることが明らかになった.XRDピークのシフト量から格子歪みを見積もった結果,歪β-FeSi_2(Ge)結晶に最大0.5%の歪みが加わっていることがわかった.理論計算から,この格子歪み量(0.5%)により約0.03eVのエネルギーギャップ変調が期待される. |
| 抄録(英) | Strain modulation of β-FeSi_2(Ge) by Ge doping has been investigated for the band engineering. Solid-phase growth of [a-Si/a-Fe_<0.4>Si_<0.5>Ge_<0.1>]_n/c-Si (n=1, 2, 4) samples were induced at 700-900℃ for 30 min in a vacuum. The grown layers were analyzed by using Auger electron spectroscopy and the X-ray diffraction. After annealing at 700℃, β-FeSi_2(Ge) strained by 0.4-0.5% was successfully formed. According to the theoretical calculation, the strain of 0.4-0.5% corresponds to the energy band gap modulation of 0.03eV. |
| キーワード(和) | 半導体シリサイド / β-FeSi_2 / Ge導入 / 格子歪み変調 |
| キーワード(英) | Semiconducting silicide / β-FeSi_2 / Ge doping / Lattice strain modulation |
| 資料番号 | ED2004-13,SDM2004-13,OME2004-13 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2004/4/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of Strain in Semiconducting Silicide |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体シリサイド / Semiconducting silicide |
| キーワード(2)（和/英） | β-FeSi_2 / β-FeSi_2 |
| キーワード(3)（和/英） | Ge導入 / Ge doping |
| キーワード(4)（和/英） | 格子歪み変調 / Lattice strain modulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐道 泰造 / Taizoh SADOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 村上 裕二 / Yuji MURAKAMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉武 剛 / Tsuyoshi YOSHITAKE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院総合理工学研究院 Department of Applied Science for Electronics and Materials, Kyushu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 板倉 賢 / Masaru ITAKURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院総合理工学研究院 Department of Applied Science for Electronics and Materials, Kyushu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 榎田 豊次 / Toyotsugu ENOKIDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 福菱セミコンエンジニアリング Analysis & Evaluation Center, Fukuryo Semicon Engineering Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宮尾 正信 / Masanobu MIYAO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
| 発表年月日 | 2004/4/9 |
| 資料番号 | ED2004-13,SDM2004-13,OME2004-13 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 3 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |