| 講演名 | 2004/4/9 低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般) 土屋 敏章, 佐々木 伸夫, |
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| 抄録(和) | 多結晶シリコンの結晶粒界に着目した種々の低温多結晶シリコンTFTおよび単結晶SOI-MOSFETを用いて,電界効果移動度とサブスレッショルド係数の温度依存性を示し,TFTデバイス特性への粒界の影響について考察した.また,TFTとSOI-MOSFETにおける閾値電圧のドレイン電圧依存性を比較検討することによって,TFTの基板浮遊効果に及ぼす粒界の影響について述べた.さらに,TFTにおけるホットキャリアによるデバイス特性劣化機構について議論し,ホットキャリア信頼性に及ぼす粒界の影響について明らかにした. |
| 抄録(英) | Field effect mobility and subthreshold slope dependences on temperature, and threshold voltage dependences on drain voltage in low-temperature poly-Si TFTs are shown, and the influence of the grain boundaries on the TFT device characteristics and floating body effects are discussed. Hot-carrier-induced device degradation mechanism and the impact of the grain boundaries on the hot carrier reliability in the TFTs are also discussed. |
| キーワード(和) | TFT / 粒界 / ホットキャリア信頼性 / 電界効果移動度 / サブスレッショルド係数 / 基板浮遊効果 |
| キーワード(英) | TFT / grain boundary / hot carrier reliability / field effect mobility / subthreshold slope / floating body effects |
| 資料番号 | ED2004-10,SDM2004-10,OME2004-10 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2004/4/9(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低温多結晶シリコンTFTのデバイス特性や信頼性に及ぼす粒界の影響(有機EL, TFT,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of Grain Boundaries on Device Characteristics and Reliability in Low-Temperature Poly-Si Thin Film Transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | TFT / TFT |
| キーワード(2)（和/英） | 粒界 / grain boundary |
| キーワード(3)（和/英） | ホットキャリア信頼性 / hot carrier reliability |
| キーワード(4)（和/英） | 電界効果移動度 / field effect mobility |
| キーワード(5)（和/英） | サブスレッショルド係数 / subthreshold slope |
| キーワード(6)（和/英） | 基板浮遊効果 / floating body effects |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 土屋 敏章 / Toshiaki Tsuchiya |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 島根大学総合理工学部 Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐々木 伸夫 / Nobuo Sasaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所 Silicon Technology Labs, Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2004/4/9 |
| 資料番号 | ED2004-10,SDM2004-10,OME2004-10 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 3 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |