| 講演名 | 2004/4/9 エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般) 松尾 直人, 河本 直哉, 浜田 弘喜, |
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| 抄録(和) | アモルファス-Si (a-Si)をエキシマ・レーザにより結晶化した低温多結晶シリコン(polycrystalline silicon, poly-Si)薄膜に関し、主として筆者のグループで行って来た研究について解説する。 a-Si内の水素が結晶化に及ぼす効果、及びpoly-Si膜中の内部応力とグレインの関係について明らかにし、それらの現象を我々のグループで考案した結晶化モデルにより説明する。これらの結果を基にレーザ結晶化に関して展望を述べる. |
| 抄録(英) | Low-temperature polycrystalline-silicon (poly-Si) film recrystallized by excimer laser irradiation to amorphous-Si (a-Si) is reviewed. Effect of hydrogens in a-Si on crystallization of Si and relationship between the internal stress and grains are clarified and a new crystallization model is presented. Considering the present results, future trend of laser crystallization is discussed. |
| キーワード(和) | エキシマ・レーザ・アニーリング / 多結晶シリコン / 水素 / 内部応力 / 二次元結晶成長 |
| キーワード(英) | excimer laser annealing / polycrystalline silicon / hydrogen / internal stress / secondary crystal growth |
| 資料番号 | ED2004-9,SDM2004-9,OME2004-9 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2004/4/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Present and Future Stages of Silicon Crystallization by Excimer Laser Annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エキシマ・レーザ・アニーリング / excimer laser annealing |
| キーワード(2)（和/英） | 多結晶シリコン / polycrystalline silicon |
| キーワード(3)（和/英） | 水素 / hydrogen |
| キーワード(4)（和/英） | 内部応力 / internal stress |
| キーワード(5)（和/英） | 二次元結晶成長 / secondary crystal growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松尾 直人 / Naoto MATSUO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学大学院 Department of Material Science and Chemistry, University of Hyogo |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 河本 直哉 / Naoya KAWAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部 Department of Electrical and Electric Engineering, Yamaguchi University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浜田 弘喜 / Hiroki HAMADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所 Material and Device Department Center, SANYO Electric Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2004/4/9 |
| 資料番号 | ED2004-9,SDM2004-9,OME2004-9 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 3 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |