| 講演名 | 2004/4/9 Ni供給量制限下におけるMILC成長に電界印加が及ぼす影響(有機EL, TFT,及び一般) 柴田 憲利, 中川 豪, 牧平 憲治, 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | 金属誘起横方向結晶化(Metal-Induced Lateral Crystallization)においてNi供給量制限下において電界を印加した場合のMILC成長特性を調査し、MILC結晶成長機構と電界の影響について検討した。電界を印加した場合の成長距離は、電界を印加しない場合と比較して正極側で増速し、負極側では減速した。正極側の成長を観察すると、MILC結晶及び針状結晶群が成長し、結晶成長端では成長が不連続で互いに独立した針状結晶群が成長していた。この正極側の成長メカニズムを調べるため、Ni供給を停止した状態で電界印加した場合の成長特性の調査を行った。Ni供給停止下における正極側の成長距離は、Ni供給を停止せずに電界を印加した場合と比較して大幅に減少し、独立した針状結晶は発生しなかった。これらの結果から、電界はMILC成長を促進しているのではなくa-Si中へのNiの拡散を促進していると考えられる。 |
| 抄録(英) | We investigated Metal-Induced Lateral Crystalization (MILC) in presence of electric field under Ni supply-limited condition in which supply of Ni to a-Si is reduced. Compared with MILC, the crystallization rate of the positive electrode side was increased by applying electric field. 0n the other hand, the crystallization rate of the negative electrode side was decreased. Spontaneously nucleated needle-like Si crystals were observed in the enhanced positive electrode side, which have been found to be independent of the MILC. In order to ascertain the growth mechanism of the needle-like crystals in the positive side, the characteristic of MILC under Ni supply-stop condition in the presence electric field was investigated. The crystallization rate in the positive electrode side under Ni supply-stop condition was much lower than that under Ni supply-limited case. These results indicate that electric field does not enhance the MILC growth but enhances Ni diffusion into a-Si. |
| キーワード(和) | 多結晶シリコン / TFT / 金属誘起横方向結晶化 / 針状Si結晶 / ニッケルシリサイド / 電界 |
| キーワード(英) | poly-Si / TFT / Metal-Induced Lateral Crystallization / needle-like Si / Ni Shiliside / electric field |
| 資料番号 | ED2004-8,SDM2004-8,OME2004-8 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2004/4/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ni供給量制限下におけるMILC成長に電界印加が及ぼす影響(有機EL, TFT,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influence of Electric Field on Metal-Induced Lateral Crystallization under Ni Supply-Limited Condition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン / poly-Si |
| キーワード(2)（和/英） | TFT / TFT |
| キーワード(3)（和/英） | 金属誘起横方向結晶化 / Metal-Induced Lateral Crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | 針状Si結晶 / needle-like Si |
| キーワード(5)（和/英） | ニッケルシリサイド / Ni Shiliside |
| キーワード(6)（和/英） | 電界 / electric field |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 柴田 憲利 / Noritoshi Shibata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中川 豪 / Gou Nakagawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems Kyushu Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 牧平 憲治 / kenji Makihira |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems Kyushu Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa Asano |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/4/9 |
| 資料番号 | ED2004-8,SDM2004-8,OME2004-8 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 3 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |