| 講演名 | 2004/4/9 金属ゲート電極を利用したガラス上の自己整合ダブルゲートCLC poly-Si TFT(有機EL, TFT,及び一般) 原 明人, 竹井 美智子, 吉野 健一, 竹内 文代, 佐々木 伸夫, |
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| 抄録(和) | ガラス基板上に550℃のプロセス温度で金属ゲート電極を有する自己整合ダブルゲート多結晶シリコン(poly-Si)薄膜トランジスタ(TFT)を形成した。結晶化には半導体励起固体(DPSS)連続発振(CW)レーザによるCLC技術を利用した。本TFTの電流駆動能力は、トツプゲート型のエキシマレーザ結晶化poly-Si TFTの電流駆動能力の8-9倍を有する。さらに、単結晶の(100) SIMOX-TFTよりも大きい。また、89mV/decと小さいS値が得られた。これらの特性は、ガラス基板上への高性能回路の形成を導くものである。 |
| 抄録(英) | Self-aligned top and bottom metal double gate (SAMDG) low-temperature polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs) were fabricated on non-alkali glass at 550℃, using the diode pumped solid state continuous wave laser lateral crystallization (CLC) method. lt was observed that the current drivability of SAMDG CLC poly-Si TFTs was eight or nine times as large as that of conventional top gate excimer laser crystallized poly-Si TFTs, and the nominal field-effect mobility of SAMDG CLC poly-Si TFT was larger than that of (100)-oriented single crystal SIMOX-TFTs. In addition, a steep sub-threshold value, 89mV/dec, was observed fbr SAMDG CLC poly-Si TFTs. The exceptional high performance of SAMDG CLC poly-Si TFTs will allow the production of inexpensive LSI circuits on non-alkali glass substrates. |
| キーワード(和) | ダブルゲート / 薄膜トランジスタ / 多結晶シリコン / 結晶化 / ガラス |
| キーワード(英) | double gate / thin film transistor / poly-Si / crystallization / glass |
| 資料番号 | ED2004-7,SDM2004-7,OME2004-7 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2004/4/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 金属ゲート電極を利用したガラス上の自己整合ダブルゲートCLC poly-Si TFT(有機EL, TFT,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Self-Aligned Metal Double Gate CLC Poly-Si-TFT on Non-Alkali Glass Substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダブルゲート / double gate |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 多結晶シリコン / poly-Si |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶化 / crystallization |
| キーワード(5)（和/英） | ガラス / glass |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 原 明人 / Akito Hara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Limited |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹井 美智子 / Michiko Takei |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Limited |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉野 健一 / Kennichi Yoshino |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Limited |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 竹内 文代 / Fumiyo Takeuchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Limited |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐々木 伸夫 / Nobuo Sasaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Limited |
| 発表年月日 | 2004/4/9 |
| 資料番号 | ED2004-7,SDM2004-7,OME2004-7 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 3 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |