| 講演名 | 2004/6/25 Key Technology Development for EUVL Mask Fabrication(Session A8 Nano-Lithography)(2004 Asia-Pasific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | For the successful implementation of EUV lithography technology, defect-free high-reflectivity mask fabrication is one of the key issues. Due to the unique absorbing characteristics of EUV wavelength, EUV lithography system adopts reflective optics and the multilayer structure with half-wavelength period is the only possible reflecting solution. But this multilayer structure causes several technical burdens in many processing steps including deposition, defect inspection, defect repair and cleaning. This paper presents the research results related to these critical issues. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Extreme Ultraviolet / Lithography / Mask / Multipayer / Defect |
| 資料番号 | ED2004-94,SDM2004-106 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2004/6/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Key Technology Development for EUVL Mask Fabrication(Session A8 Nano-Lithography)(2004 Asia-Pasific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2004)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Extreme Ultraviolet |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jinho Ahn |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Materials Science and Engineering, Hanyang University |
| 発表年月日 | 2004/6/25 |
| 資料番号 | ED2004-94,SDM2004-106 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 154 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |