| 講演名 | 2004/1/23 ヘキサゴナルBDD量子集積回路のための量子細線スイッチの特性(量子効果デバイス及び関連技術) 湯元 美樹, 田村 隆弘, 佐藤 威友, 長谷川 英機, |
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| 抄録(和) | ヘキサゴナル二分決定グラフ(BDD)論理アーキテクチャの大規模集積回路への応用を考え、分子線エピタキシー(MBE)法により形成された選択成長(SG)埋め込み量子銅線(QWR)を用いて量子BDD節点デバイスを実現する手法を提案し、デバイスの試作・評価を行った。MBE選択成長により形成したGaAs系量子細線デバイスにプロセスを施すことにより、ショットキーラップゲート(WPG)で銅線内のポテンシャル制御を行うSG QWR枝スイッチの作製に成功した。SG QWR 枝スイッチのゲート制御特性をシュブニコフ・ド・ハース(SdH)振動測定を用いて評価し、その動作がエッチング銅線型QWR枝スイッチと類似することを明らかにした。作製したSG QWR枝スイッチは、低温において明瞭な量子化コンダクタンスを実現し、コンダクタンスステップ傾きの温度依存性を調べた。2個のSG QWR 枝スイッチを有するY宇型のBDD節点デバイスを試作し、明確なパススイッチング動作を実現した。 |
| 抄録(英) | In view of applications to hexagonal binary decision diagram (BDD) LSIs, a first attempt is made to form quantum BDD node switches on selectively grown (SG) embedded quantum wires (QWRs) by molecular beam epitaxy (MBE), SG QWR branch switches controlled by Schottky wrap gate (WPG) were successfully fabricated by MBE growth and subsequent device processing. Gate control characteristics were studied by gate-dependent Shubnikov-de-Haas measurements, and the behavior was found to be similar to that of devices fabricated on wires by etching. The switch exhibited clear conductance quantization at low temperature, and temperature dependence of the voltage slope of conductance jump was clarified. A Y-branch BDD node device using two SG branch switches was successfully fabricated, and they realized clear path switching characteristics. |
| キーワード(和) | 量子デバイス / MBE選択成長 / 量子細線 / 二分決定グラフ(BDD) |
| キーワード(英) | quantum device / MBE selective growth / quantum wire / binary decision diagram (BDD) |
| 資料番号 | ED2003-229 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2004/1/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ヘキサゴナルBDD量子集積回路のための量子細線スイッチの特性(量子効果デバイス及び関連技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and Characterization of Quantum Wire Switch for Hexagonal BDD Quantum Integrated Circuits |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子デバイス / quantum device |
| キーワード(2)（和/英） | MBE選択成長 / MBE selective growth |
| キーワード(3)（和/英） | 量子細線 / quantum wire |
| キーワード(4)（和/英） | 二分決定グラフ(BDD) / binary decision diagram (BDD) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 湯元 美樹 / Miki YUMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院工学研究科 Graduate School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田村 隆弘 / Takahiro TAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院工学研究科 Graduate School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 威友 / Taketomo SATO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 長谷川 英機 / Hideki HASEGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学院工学研究科 : 量子集積エレクトロニクス研究センター Graduate School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University : Research Center for Integrated Quantum Electronics |
| 発表年月日 | 2004/1/23 |
| 資料番号 | ED2003-229 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 629 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |