| 講演名 | 2004/1/13 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 牧山 剛三, 高橋 剛, 鈴木 俊秀, 澤田 憲, 多木 俊裕, 原 直紀, 滝川 正彦, |
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| 抄録(和) | ゲート寄生容量を低減するための新規のデバイス技術を開発した。本デバイス技術は、ゲート電極周辺の配線層間膜起因の寄生容量を低減し、集積回路の動作速度を向上させることを可能にした。本技術を使用したInP-HEMTを集積化したT-FFにおいて90GHz動作を確認した。これは、FETで構成されたT-FFでは最高速動作であり、本技術の有効性を実証する結果である |
| 抄録(英) | We developed a novel process technology to removes the dielectric substance around the gate electrodes to decrease parasitic capacitance. The process enabled us to increase the operating speed of the integrated circuit without causing any process damage. As a result, we achieved 90-GHz operation of a static T-FF circuit using InP-HEMT technology. This is the fastest T-FF, consisting of a FET, reported to date. We also showed the excellent potential of this technology for fabricating ultra-high speed ICs. |
| キーワード(和) | CAVE構造 / 配線層間膜 / ゲート寄生容量 / InP-HEMT / T-FF |
| キーワード(英) | CAVE structure / film for interconnecting / parasitic capacitance / InP-HEMT / T-FF |
| 資料番号 | ED2003-214 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2004/1/13(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 寄生容量低減によるHEMTIC動作速度の向上(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of Circuit-speed of HEMTs IC by Reducing the Parasitic Capacitance |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CAVE構造 / CAVE structure |
| キーワード(2)（和/英） | 配線層間膜 / film for interconnecting |
| キーワード(3)（和/英） | ゲート寄生容量 / parasitic capacitance |
| キーワード(4)（和/英） | InP-HEMT / InP-HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | T-FF / T-FF |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 牧山 剛三 / Kozo MAKIYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 剛 / Tsuyoshi TAKAHASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 俊秀 / Toshihide SUZUKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 澤田 憲 / Ken SAWADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 多木 俊裕 / Toshihiro OHKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 原 直紀 / Naoki HARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 滝川 正彦 / Masahiko TAKIKAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 |
| 発表年月日 | 2004/1/13 |
| 資料番号 | ED2003-214 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 559 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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