| 講演名 | 2004/1/13 コンポジットチャネル構造lnP-HEMTの信頼性評価と高利得化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 倉知 俊介, 野中 康紀, 二階堂 淳一朗, |
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| 抄録(和) | InP系HEMTは、高周波特性に優れる一方、チャネル内のインパクトイオン化起因による信頼性の問題が多く報告されている。我々は、チャネル構造の最適化を行い、インパクトイオン化によるリーク電流を減らした。この構造で6000時間を越える信頼性評価を行い、80℃におけるMTTFは、2×10^7時間に達し、極めて良好な信頼性を実現した。さらに、パッケージのアイソレーションを改善し、12GHzでの雑音指数0.28dB、付随利得16.5dBを実現した。これらの結果からコンポジットチャネル構造InP-HEMTは、ミリ波帯以上でのローノイズ素子として有望であると考えられる。 |
| 抄録(英) | InP-based HEMTs excel in high frequency performances. On the other hand, many problems on reliability are reported because of impact ionization in the channel. We reduced the leakage current by impact ionization having best modified the channel structure. We conducted a reliability test which exceed 6000 hours after the modification, and the MTTF at 80℃ reached 2X10^7 hours . Fairly good reliability was realized. In addition, we improved the isolation of package, and achieved a noise figure of 0.28 dB and an associated gain of 16.5 dB at 12 GHz for a 200 μm gate-width. From the above results, it can safely be said that the InP-HEMT with Composite Channel Structure is considered promising as a low-noise device at more than the mm-wave band. |
| キーワード(和) | InP-HEMT / インパクトイオン化 / 高信頼度 / 高利得化 / コンポジットチャネル構造 |
| キーワード(英) | InP-HEMT / Impact ionization / High reliability / High gain / Composite Channel Structure |
| 資料番号 | ED2003-211 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2004/1/13(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | コンポジットチャネル構造lnP-HEMTの信頼性評価と高利得化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A High Reliability and High Gain InP-HEMT with Composite Channel Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP-HEMT / InP-HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | インパクトイオン化 / Impact ionization |
| キーワード(3)（和/英） | 高信頼度 / High reliability |
| キーワード(4)（和/英） | 高利得化 / High gain |
| キーワード(5)（和/英） | コンポジットチャネル構造 / Composite Channel Structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 倉知 俊介 / Shunsuke KURACHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス株式会社 Fujitsu Quantum Devices Limited |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 野中 康紀 / Yasunori NONAKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス株式会社 Fujitsu Quantum Devices Limited |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 二階堂 淳一朗 / Junichiro NIKAIDO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス株式会社 Fujitsu Quantum Devices Limited |
| 発表年月日 | 2004/1/13 |
| 資料番号 | ED2003-211 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 559 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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