| 講演名 | 2004/1/13 無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 山本 和也, 平間 哲也, 若田 秀幸, 佐野 智弘, 佐藤 久恭, 前村 公正, |
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| 抄録(和) | 標準的な0.18μm Bulk CMOS技術を用いて,無線通信用1.2/2 AGHz帯周波数2逓倍器及び2.6/5.2GHz帯周波数2逓倍器を設計・試作した.両逓倍器(ダブラ)は共に,1.8Vの低電圧動作のために,従来広くダブラコアに用いられてきたGilbert-Cell型コアに代わる構成として,1.2/24GHz帯ダブラには共通ソース・共通ドレイン型FETペアを逓倍器コアに,また2.6/5.2GHz帯ダブラには出力バッファと逓倍器コアの電流を共有化できるCurrent-reuse構成を適用した.設計・試作の結果,1.2/2.4GHz帯ダブラは,動作電流6mA,差動片側入力電力(電力換算値)-2dBmにおいて変換利得OdB,基本波抑圧比-20dB以下,2.6/5.2GHz帯ダブラは,動作電流7mA,入力電力-7dBmの低入力において変換利得OdB,最大変換利得2.3dB,基本波抑圧比-20dB以下という良好な出力特性を達成した. |
| 抄録(英) | This paper describes the design and experimental results for two types of CMOS frequency doublers (DBRs). One is for up-conversion from 1.2 GHz to 2.4 GHz, and the other is for up conversion from 2.6 to 5.2 GHz. These DBRs were fabricated using a standard 0.18-um bulk CMOS technology. The 1.2/2.4-GHz DBR with a differential input/output interface uses a drain-coupled, common source FET pair instead of a Gilbert-cell core in order to avoid a limited voltage headroom problem and obtain a large second harmonic voltage swing even under a 1.8-V low supply voltage condition. For the 2.6/5.2-GHz DBR, a current-reuse circuit-design technique is successfully incorporated into the DBR to realize both on chip input/output matching and adequate conversion gain with low current dissipation. This DBR with a single input/output interface features a bypass resistor placed between common ground and a source node of the second stage FET in the current-reuse topology, thereby improving conversion gain while saving waste current. The experimental results obtained under a 1.8-V supply voltage condition are as follows. For the 1.2/2.4-GHz DBR, a 0-dB conversion gain, less than -20 dB fundamental frequency leakage, and a 6-mA low current dissipation are achieved with a -2-dBm single channel input power. The 2.6/5.2 GHz DBR delivers a 2.7-dB maximum conversion gain and less than -20 dB fundamental frequency leakage with a 7-mA low current consumption under a -7-dBm low input power condition. |
| キーワード(和) | 2.4GHz / 5.2GHz / CMOS / 周波数逓倍器 / 無線通信 |
| キーワード(英) | 2.4GHz / 5.2GHz / CMOS / Frequency doubler / Wireless communication |
| 資料番号 | ED2003-210 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2004/1/13(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1.2/2.4-GHz, 2.6/5.2-GHz-Band CMOS Frequency Doublers for Wireless Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 2.4GHz / 2.4GHz |
| キーワード(2)（和/英） | 5.2GHz / 5.2GHz |
| キーワード(3)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(4)（和/英） | 周波数逓倍器 / Frequency doubler |
| キーワード(5)（和/英） | 無線通信 / Wireless communication |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山本 和也 / Kazuya YAMAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High-Frequency & Optaical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平間 哲也 / Tetsuya HEIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 若田 秀幸 / Hideyuki WAKADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐野 智弘 / Tomohiro SANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐藤 久恭 / Hisayasu SATO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社ルネサステクノロジ Renesas Technology Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 前村 公正 / Kosei MAEMURA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High-Frequency & Optaical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2004/1/13 |
| 資料番号 | ED2003-210 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 559 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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