| 講演名 | 2004/1/13 高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 澤 卓, 澤田 宗作, 関口 剛, 渡邉 昌崇, 福士 大地, 中島 成, |
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| 抄録(和) | 最近の10Gb/sプリアンプICは、安価な同軸型パッケージに組み込んでもバタフライ型と同等の特性を得ることが要求され、低消費電力、低ノイズ化を実現するための高性能デバイスと正確にモジュール全体をモデル化する設計技術が必要である。我々は、量産性に優れるi線露光とイオン注入を用いた0.18μmゲート長の高速GaAs-MESFETデバイスを作製する技術を確立した。また、ICの設計では、同軸パッケージヘの実装により影響が顕著となる寄生成分を見積もり、最適化を図った。試作したICを同軸型パッケージに実装した評価結果は、3.3V駆動で消費電力0.18W、最小受信感度-20.1dBmと良好であった。 |
| 抄録(英) | Recently, 10Gb/s PD preamplifier 1C is requested to can be implemented with coaxial package. Therefore high performance device and exact design technology are necessary in order to realize low supply power and low noise. We successfully obtained 0.18μm gate GaAs MESFETs with excellent uniformity and reproducibility using i-line lithography and ion-implantation that established as a mass production technique. Moreover the design is optimized in consideration of influence of parasitic element. Experimental results are very good as sensitivity of -20.1dBm, 3.3V operation, and 0.18W power. |
| キーワード(和) | GaAsIC / MESFET |
| キーワード(英) | GaAsIC / MESFET |
| 資料番号 | ED2003-209 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2004/1/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高速GaAs-MESFETを用いた3.3V駆動10Gb/sプリアンプIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 3.3V Operation 10Gb/s Preamplifier IC Using High-speed GaAs-MESFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAsIC / GaAsIC |
| キーワード(2)（和/英） | MESFET / MESFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 澤 卓 / Takashi SAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Device R&D Laboratories, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 澤田 宗作 / Sosaku SAWADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Device R&D Laboratories, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 関口 剛 / Takeshi SEKIGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Device R&D Laboratories, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 渡邉 昌崇 / Masataka WATANABE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Device R&D Laboratories, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 福士 大地 / Daiji FUKUSHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Device R&D Laboratories, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中島 成 / Shigeru NAKAJIMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 Transmission Device R&D Laboratories, SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. |
| 発表年月日 | 2004/1/13 |
| 資料番号 | ED2003-209 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 559 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |