| 講演名 | 2004/1/13 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 福田 健志, 八幡 和宏, 永井 秀一, 酒井 啓之, 田中 毅, |
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| 抄録(和) | 10Gb/s光通信用チップセットとして、InGaP/GaAsHBTによるレーザドライバ/受光プリアンプICを開発した。ドライバICの変調出力は最大70mAp-pの駆動能力をもち、終段入力部に導入した波形整形回路により、オーバーシュートのないクリアなアイパターンを実現した。受光プリアンプは、初段トランジスタをベース接地とすることで入力インピーダンスを低減し、人力部の寄生回路の影響を受け難い構成とした結果、受光素子を含めたO/Eモジュールに実装した状態で周波数帯域8.7GHzと良好な特性を確認した。 |
| 抄録(英) | The optical front end chipset comprising a laser diode driver and a photo detector preamplifier is successfully developed with an InGaP/GaAs HBT technology. The driver can handle maximum output amplitude of 70mAp-p and it's output waveform shows a good eye pattern by using newly developed waveform shaping circuit. A frequency response of an O/E module, that is utilizing the preamplifier 1C, shows a wide bandwidth of 8.7GHz, even with parasitics of input interconnections. A low-impedance "Common-Base" input stage is used in the preamplifier to reduce degradation of bandwidth due to the input parasitics. |
| キーワード(和) | 光通信 / 10Gb/s / InGaP / HBT |
| キーワード(英) | Optical Communication / 10Gb/s / InGaP / HBT |
| 資料番号 | ED2003-208 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2004/1/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An InGaP/GaAs HBT 1C Chipset for lOGb/s Optical Communications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光通信 / Optical Communication |
| キーワード(2)（和/英） | 10Gb/s / 10Gb/s |
| キーワード(3)（和/英） | InGaP / InGaP |
| キーワード(4)（和/英） | HBT / HBT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 福田 健志 / Takeshi FUKUDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 八幡 和宏 / Kazuhiro YAHATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 永井 秀一 / Shuichi NAGAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 酒井 啓之 / Hiroyuki SAKAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田中 毅 / Tuyoshi TANAKA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター Semiconductor Device Research Center Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2004/1/13 |
| 資料番号 | ED2003-208 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 559 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |