| 講演名 | 2004/1/13 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) 後藤 清毅, 國井 徹郎, 藤井 憲一, 細川 義弘, 佐々木 善伸, 井上 晃, 石川 高英, |
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| 抄録(和) | 多数のゲートを並列合成した高出力FETの安定化をはかるため、ゲートフィンガーを結線しているフィード部の構造を改善し、GaAsオンチップにFETのセル間抵抗を形成した抵抗装荷型ゲートフィード構造を提案した。安定性解析とレイアウト設計には多数の能動素子間の安定性を包括的に評価できるNDF(Normalized Determinant Funciton)判別法[1,2]を用い、セル間抵抗値の最適化を行なった。本手法により168のゲートフィンガーを並列合成したGaAs FETのゲートフィンガー間で発生する奇モードループ発振を精度良く解析できることを確認し、FETセル間に抵抗性のゲートフィード構造を採用することによる発振が抑制できることを確認した。 |
| 抄録(英) | This paper presents a new high power FET layout methodology for restraining the instability among lots of gate fingers combined in parallel. In the proposed layout, the resistive gate feed structure is adopted among the FET cells and restrains the odd-mode oscillation among the FET cells. Stability analysis and, layout design are based on by the NDF (Normalized Determinant Function) evaluation technique, which can deal with lots of active nodes. In an experiment for a GaAs FET of 134 mm gate width with 168 gate fingers, this stability analysis precisely predicted an oscillation frequency of the FET having multiple closed loops. The new approach presented here on the gate feed structure suppressed odd mode oscillation, effectively. |
| キーワード(和) | 高出力FET / GaAs FET / 安定化 / 発振 / 奇モード発振 |
| キーワード(英) | High Power FET / GaAs FET / Stabilization / Oscillation / Odd Mode Oscillation |
| 資料番号 | ED2003-207 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2004/1/13(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stabilization Technique for Multi-Finger FET Using Resistive Gate Feed Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高出力FET / High Power FET |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs FET / GaAs FET |
| キーワード(3)（和/英） | 安定化 / Stabilization |
| キーワード(4)（和/英） | 発振 / Oscillation |
| キーワード(5)（和/英） | 奇モード発振 / Odd Mode Oscillation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 後藤 清毅 / Seiki GOTOU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 國井 徹郎 / Tetsuo KUNII |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤井 憲一 / Kenichi FUJII |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 細川 義弘 / Yoshihiro HOSOKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐々木 善伸 / Yoshinobu SASAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 井上 晃 / Akira INOUE |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 石川 高英 / Takahide ISHIKAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2004/1/13 |
| 資料番号 | ED2003-207 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 559 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |