| 講演名 | 2003/12/5 ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術) 木村 千春, 舟川 慎吾, 山室 裕, 坂田 慎一郎, 志摩 秀和, 寺山 正敏, 杉野 隆, |
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| 抄録(和) | 我々は、これまでにプラズマアシストCVD法により作製した窒化ホウ素(BN)薄膜についてフィールドエミッション特性を評価し、その電子放出メカニズムについて研究を進めてきた。最近では、膜厚が8～10nmのBNナノ薄膜を用いることにより、Fowler-Nordheimトンネリングにおける実効的なポテンシャル障壁高さを低減できるモデルを提案し実証した。しかしながら、BN薄膜は耐水性に難点があることが知られており、この問題を解決することが実用化には不可欠である。耐水性に優れた薄膜を作製する目的で、BN薄膜作製時に少量の炭素を含有させることで、ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜を作製し、その電子放出特性の評価を試みた。 |
| 抄録(英) | Field emission characteristics have been investigated for boron nitride (BN) film deposited by plasma-assisted chemical vapor deposition (CVD). We have proposed the model that the effective potential barrier height for Fowler-Nordheim tunneling is reduced by using BN nanofilm with a thickness of 8～10 nm, and have obtained its experimental evidence. However it is well known that BN film is not so strong for wet process. So in order to improve the property, carbon atoms are introduced during the deposition of BN film. Boron(B)-Carbon(C)-Nitride(N) films are synthesized by plasma-assisted CVD and field emission characteristics of B-C-N nanofilms are measured. |
| キーワード(和) | フィールドエミッション / B-C-N薄膜 / ナノ薄膜 / Fowler-Nordheimトンネリング |
| キーワード(英) | Field Emission / B-C-N Film / Nanofilm / Fowler-Nordheim Tunneling |
| 資料番号 | ED2003-183 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2003/12/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electron Emission Characteristics of Boron-Carbon-Nitride Nanofilms |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フィールドエミッション / Field Emission |
| キーワード(2)（和/英） | B-C-N薄膜 / B-C-N Film |
| キーワード(3)（和/英） | ナノ薄膜 / Nanofilm |
| キーワード(4)（和/英） | Fowler-Nordheimトンネリング / Fowler-Nordheim Tunneling |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 木村 千春 / Chiharu KIMURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Faculty of Electrical Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 舟川 慎吾 / Shingo FUNAKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Faculty of Electrical Engineering, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山室 裕 / Yutaka YAMAMURO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Faculty of Electrical Engineering, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 坂田 慎一郎 / Shinichiro SAKATA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Faculty of Electrical Engineering, Osaka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 志摩 秀和 / Hidekazu SHIMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Faculty of Electrical Engineering, Osaka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 寺山 正敏 / Masatoshi TERAYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 Faculty of Electrical Engineering, Osaka University / |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 杉野 隆 / Takashi SUGINO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院工学研究科 |
| 発表年月日 | 2003/12/5 |
| 資料番号 | ED2003-183 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 497 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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