| 講演名 | 2003/5/9 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料)) 池田 広, 吉田 龍三, 高橋 崇宏, 江間 義則, |
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| 抄録(和) | CuInTe_2化合物チャンクのみを蒸発源として、コーニング1737ガラス上にカルコパイライト型CuInTe_2薄膜を作製した。作製時の基板温度とアニール条件を変えて得られた膜の結晶性をX線回折、分光透過率、AFM、EDSで評価した。室温の基板に蒸着した膜はCuInTe_2構造のほかにCu_2Teの異相が混在したが、数100℃のアニールでカルコパイライト構造のみの膜が得られた。基板温度が300℃以上ではInTeの異相が混在し、組成でTe成分が大きく不足した。結晶粒の大きさは基板温度が高くなると大きくなった。アニール条件としては、温度300℃、15分間で十分であった。吸収係数の光子エネルギー依存性から求めたCuInTe_2薄膜のエネルギーギャップは0.93eVであった。 |
| 抄録(英) | Chalcopyrite CuInTe_2 thin films have been formed by the deposition of its alloy chunks on Corning 1737 glass. Structural properties of the films were measured by X-ray diffraction, transmittance, etc, on the viewpoint of the substrate temperature and the annealing condition. The best condition to obtain chalcopyrite CuInTe_2 films without a secondary phase was as follows; deposition on the room temperature substrate and annealing at 300℃ 15min. Energy gap of the CuInTe_2 films was 0.93eV from the energy dependence of the absorption coefficient. |
| キーワード(和) | CuInSe_2 / 薄膜 / カルコパイライト構造 / エネルギーギャップ |
| キーワード(英) | CuInTe_2 / thin film / chalcopyrite-type / energy gap |
| 資料番号 | ED2003-34 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2003/5/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 蒸着法により作製したCuInTe_2薄膜の結晶性評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Structural Study on Vacuum Deposited CurnTe_2 Thin Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CuInSe_2 / CuInTe_2 |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜 / thin film |
| キーワード(3)（和/英） | カルコパイライト構造 / chalcopyrite-type |
| キーワード(4)（和/英） | エネルギーギャップ / energy gap |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 池田 広 / Hiroshi IKEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 龍三 / Ryozo YOSHIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高橋 崇宏 / Takahiro TAKAHASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江間 義則 / Yoshinori EMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2003/5/9 |
| 資料番号 | ED2003-34 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 47 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |