| 講演名 | 2003/9/26 MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_<1-x>N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス) 三好 実人, 坂井 正宏, 石川 博康, 江川 孝志, 神保 孝志, 田中 光浩, 小田 修, 勝川 裕幸, |
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| 抄録(和) | 実用的且つ高出力のGaN系電子デバイスの実現という観点から,大型MOVPE炉を用いて100mm径サファイア上への高Al組成Al_xGa_<1-x>N/GaN (0.26 ≤ x_ |
| 抄録(英) | For the practical use and the high-power applications of GaN-based electronic devices, we examined the growth of high-Al-content Al_xGa_<1-x>N/GaN (0.26 ≤ x_ |
| キーワード(和) | Al_xGa_<1-x>N-GaN HEMT / 高Al組成Al_xGa_<1-x>N / MOVPE / 100mm径サファイア基板 / 均一性 |
| キーワード(英) | Al_xGa_<1-x>N-GaN HEMT / high-Al-content Al_xGa_<1-x>N / MOVPE / 100-mm-diameter sapphire substrates / uniformity |
| 資料番号 | ED2003-150,CPM2003-120,LQE2003-68 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2003/9/26(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_<1-x>N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE Growth and Characterization of High-Al-Content Al_xGa_<1-x>N/GaN HEMT Layers on 100-mm-diameter Sapphire Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Al_xGa_<1-x>N-GaN HEMT / Al_xGa_<1-x>N-GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 高Al組成Al_xGa_<1-x>N / high-Al-content Al_xGa_<1-x>N |
| キーワード(3)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | 100mm径サファイア基板 / 100-mm-diameter sapphire substrates |
| キーワード(5)（和/英） | 均一性 / uniformity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三好 実人 / Makoto MIYOSHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター:日本ガイシ株式会社 Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology:NGK INSULATORS, LTD. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 坂井 正宏 / Masahiro SAKAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター:日本ガイシ株式会社 Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology:NGK INSULATORS, LTD. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / Takashi JINBO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 田中 光浩 / Mitsuhiro TANAKA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 NGK INSULATORS, LTD. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 小田 修 / Osamu ODA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 NGK INSULATORS, LTD. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 勝川 裕幸 / Hiroyuki KATSUKAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 日本ガイシ株式会社 NGK INSULATORS, LTD. |
| 発表年月日 | 2003/9/26 |
| 資料番号 | ED2003-150,CPM2003-120,LQE2003-68 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 342 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |