| 講演名 | 2003/6/23 Effects of Self-Aligned Field Induced Drain with Double Spacer on the Characteristics of Pol-Si TFT (AWAD2003 (Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The electric characteristics of Field Induced Drain (FID) poly-Si thin film transistors (poly-Si TFT's) with an independently biased self-aligned sub gate using a double space process are investigated. The FID poly-Si TFT reduced the off-state leakage and enlarged the on/off current ratio compared with conventional and LDD (Lightly Doped Drain) TFTs. The self-aligned double spacer process removed the sub gate misalignment error and the length of the sub gate can be easily controlled by poly-Si thickness and hard mask. As the effective sub gate length is increased, the drive current is decreased. However, the optimum sub gate length and voltage are investigated with the on/off state currents and the hot carrier degradation effects. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Poly-Si Thin-film Transistor (TFT) / Field Induced Drain (FID) / Self-Align / Sub Gate / Double Spacer Process |
| 資料番号 | ED2003-69,SDM2003-80 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2003/6/23(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of Self-Aligned Field Induced Drain with Double Spacer on the Characteristics of Pol-Si TFT (AWAD2003 (Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Poly-Si Thin-film Transistor (TFT) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jeong-Ah Ahn |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Electrical and Computer Engineering Division, Pohang University of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2003/6/23 |
| 資料番号 | ED2003-69,SDM2003-80 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 159 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |