| 講演名 | 2003/6/6 GaAs pHEMTのICTS測定(化合物半導体デバイスのプロセス技術) 丸野 茂光, 中本 隆博, 吉田 直人, 阿部 雄次, 尾関 龍夫, |
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| 抄録(和) | AlGaAs/InGaAs pHEMTの表面電子状態を等温過渡容量分光(ICTS)法を用いて調べた.ゲート電圧をゼロバイアスから逆バイアスに切り替えた場合とその逆の場合についてゲート容量の過渡特性を調べた.ICTSスペクトルにはホールトラップライクな信号SIと電子トラップS2が検出された.逆バイアス,150Kでの測定ではSIのみが観測され,信号強度はバイアス依存性を示した.またピンチオフ電圧近傍においてゲートリーク電流の急峻な増加が観測された.トラップS1, S2をAlGaAsリセス表面の表面準位モデルで実験結果を解釈できることを示した. |
| 抄録(英) | The surface electronic properties of AlGaAs/InGaAs pseudomorphic high-electron-mobility transistors (pHEMT) were investigated by isothermal capacitance transient spectroscopy (ICTS) and gate-leakage current characteristic measurements. Both electron trap and hole trap-like spectra were observed by ICTS measurements on gate-source/drain capacitance. We observed enhancement of the leakage current and drastic change of static and transient capacitance behavior around a pinch-off voltage. The leakage characteristics and ICTS results were explained in terms of surface states model. |
| キーワード(和) | HEMT / 等温過渡容量分光(ICTS) / 表面準位 / トラップ |
| キーワード(英) | HEMT / Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy (ICTS) / Suface states / Traps |
| 資料番号 | ED2003-55 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2003/6/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs pHEMTのICTS測定(化合物半導体デバイスのプロセス技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Isothermal capacitance transient spectroscopy of pseudomorphic high-electron-mobility transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 等温過渡容量分光(ICTS) / Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy (ICTS) |
| キーワード(3)（和/英） | 表面準位 / Suface states |
| キーワード(4)（和/英） | トラップ / Traps |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 丸野 茂光 / Shigemitsu MARUNO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社先端総研 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中本 隆博 / Takahiro NAKAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社波光括 High Frequency & Optical Semiconductor Div., Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉田 直人 / Naohito YOSHIDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社波光括 High Frequency & Optical Semiconductor Div., Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 阿部 雄次 / Yuji ABE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社先端総研 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 尾関 龍夫 / Tatsuo OZEKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社先端総研 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2003/6/6 |
| 資料番号 | ED2003-55 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 117 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |