| 講演名 | 2003/6/6 AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性とHEMT特性との相関(化合物半導体デバイスのプロセス技術) 塩島 謙次, 重川 直輝, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN 2次元電子ガス構造を窒素雰囲気中で800℃までの熱処理を行った結果、結晶成長温度より低い熱処理温度でシート抵抗が増加する現象がみられた。ゲート長0.7μmのHEMTを試作し、シート抵抗の増加とデバイス特性との相関を評価した。熱的に安定な試料は2インチ面内で平均相互コンダクタンス(gm) 194mS/mm、標準偏差16mS/mmの良好な結果を得た。一方、シート抵抗が増加した試料では、gmは低く、大きな面内不均一がみられた。シート抵抗の熱的安定性はウエハー選別において重要な基準になることが確認できた。 |
| 抄録(英) | We found that the sheet resistance (R_ |
| キーワード(和) | AlGaN-GaNヘテロ構造 / シート抵抗 / 熱的安定性 / HEMT / 均一性 |
| キーワード(英) | AlGaN-GaN heterostructure / Sheet resistance / Thermal stability / HEMT / Uniformity |
| 資料番号 | ED2003-54 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2003/6/6(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性とHEMT特性との相関(化合物半導体デバイスのプロセス技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Correlation between thermal stability of AlGaN/GaN 2DEG structures and HEMT performances |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN-GaNヘテロ構造 / AlGaN-GaN heterostructure |
| キーワード(2)（和/英） | シート抵抗 / Sheet resistance |
| キーワード(3)（和/英） | 熱的安定性 / Thermal stability |
| キーワード(4)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(5)（和/英） | 均一性 / Uniformity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji SHIOJIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 重川 直輝 / Naoteru SHIGEKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Corporation NTT Photonics Laboratories |
| 発表年月日 | 2003/6/6 |
| 資料番号 | ED2003-54 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 117 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |