| 講演名 | 2003/6/6 Al_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET(化合物半導体デバイスのプロセス技術) 前田 就彦, 俵 毅彦, 斉藤 正, 椿 光太郎, 小林 直樹, |
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| 抄録(和) | 新構造のAlGaN/GaN MIS HFETを提案し、試作したデバイスの静特性を報告する。提案の要点は、(1)チャネルドープ構造、および、(2)Al_2O_3/Si_3N_4なる2層絶縁ゲート膜、を用いる点である。ゲート長1.5μmの試作デバイスからは、145 mS/mmなるgm、1.6 A/mmなる最大級の飽和電流密度、低ゲートリーク電流なる魅力的な特性が得られ、本構造が今後のデバイス高性能化に有望であることが示唆された。 |
| 抄録(英) | A novel AlGaN/GaN MIS HFET has been proposed, where (1) channel doping design and (2) Al_2O_3/Si_3N_4 bi-layer gate insulator are used. A fabricated device with a gate length of 1.5 μm has exhibited a state-off-the-art current density of 1.6 A/mm and a gm of 145 mS/mm with reduced gate leakage current, suggesting that the proposed MIS HFET is promising for high-power applications. |
| キーワード(和) | GaN / ヘテロ構造FET / チャネルドープ構造 / MIS構造 / 大電流動作 |
| キーワード(英) | GaN / HFET / Channel Doping / MIS Structure / High Current Operation |
| 資料番号 | ED2003-51 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2003/6/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Al_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートをもつチャネルドープAlGaN/GaNヘテロ構造FET(化合物半導体デバイスのプロセス技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Channel-Doped AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with Al_2O_3/Si_3N_4 Gate Insulator |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ構造FET / HFET |
| キーワード(3)（和/英） | チャネルドープ構造 / Channel Doping |
| キーワード(4)（和/英） | MIS構造 / MIS Structure |
| キーワード(5)（和/英） | 大電流動作 / High Current Operation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 前田 就彦 / Narihiko MAEDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 俵 毅彦 / Takehiko TAWARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 斉藤 正 / Tadashi SAITO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 椿 光太郎 / Kotaro TSUNBAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東洋大学工学部 Dept. of Engineering, Toyo University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 小林 直樹 / Naoki KOBAYASHI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 電気通信大学量子・物質工学科 Dept. of Applied Physics and Chemistry, The University of Electro-Communications |
| 発表年月日 | 2003/6/6 |
| 資料番号 | ED2003-51 |
| 巻番号（vol） | vol.103 |
| 号番号（no） | 117 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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