| 講演名 | 2002/5/17 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 藤田 尚樹, 李 海錫, 岡田 浩, 若原 昭浩, 吉田 明, 大島 武, 伊藤 久義, |
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| 抄録(和) | CuInSe_2薄膜の放射線に対する損傷を調べることを目的とし、2MeVと3MeVの電子線照射前後の、n形単結晶CuInSe_2薄膜の電気特性を調べた。高周波スパッタ法によりGaAs基板上にn型のCuInSe_2薄膜をエピタキシャル成長させた。電子線照射量が1×10^17cm^-2を越えるとCuInSe_2薄膜のキャリア濃度の減少が観測された。DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)法を用いて、電子線未照射のCuInSe_2薄膜と、電子線照射後のCuInSe_2薄膜の深い準位の評価を行った。その結果、電子線照射後の試料において未照射試料で観測された深い準位とは異なった振る舞いを示す準位が観測された。 |
| 抄録(英) | For the purpose of investigating the damage over the radiation of CuInSe_2 thin film electrical properties of as-grown and electron irradiated (2MeV and 3MeV) single crystal CuInSe_2 thin films have been characterized. CuJnSe_2 thin films were epitaxially grown on GaAs substrates by RF sputtering. As the electron irradiation exceeded 1× 10^17cm^-2 the carrier density of CuInSe_2 thin films were decreased. Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) measurement of electron irradiated sample showed existence of different kind of deep levels after the high-energy electron irradiation. |
| キーワード(和) | CuInSe_2 / DLTS / 電子線照射 / 活性化エネルギー / 捕獲断面積 |
| キーワード(英) | CuInSe_2 / DLTS / electron irradiation / activation energy / capture cross section |
| 資料番号 | ED2002-41 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/5/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Investigation of electron irradiation induced defects in single crystal CuInSe_2 thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CuInSe_2 / CuInSe_2 |
| キーワード(2)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(3)（和/英） | 電子線照射 / electron irradiation |
| キーワード(4)（和/英） | 活性化エネルギー / activation energy |
| キーワード(5)（和/英） | 捕獲断面積 / capture cross section |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤田 尚樹 / Naoki FUJITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 李 海錫 / Lee HAE-SEOK |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡田 浩 / Hiroshi OKADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 吉田 明 / Akira YOSHIDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学電気・電子工学系 Department of Electrical and Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 大島 武 / Takeshi OHSHIMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本原子力研究所 Japan Atomic Energy Research Institute |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 伊藤 久義 / Hisayoshi ITOH |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本原子力研究所 Japan Atomic Energy Research Institute |
| 発表年月日 | 2002/5/17 |
| 資料番号 | ED2002-41 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 77 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |