| 講演名 | 2002/5/17 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウェハの界面再結合速度測定(<小特集>III族窒化物研究の最前線) ★山 年雄, 市村 正也, 荒井 英輔, |
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| 抄録(和) | 反射マイクロ波光導電減衰法(μ-PCD法)は、非接触かつ高速、高感度な再結合寿命の測定法である。今回は、SOI(Silicon On Insulator)の界面の評価を行なうため、SOI-基板間に電圧を印加したμ-PCD法により界面再結合速度の測定を試みた。SOIと基板間に電圧を印加し、界面再結合を抑制したライフタイムと電圧を印加していないライフタイムを測定し、それら2つを比較することで、界面再結合速度が算出される。様々な貼り合わせSOIウエハにおいて界面再結合を見積もったところ、その値は試料により大きく異なり、同じ試料においても位置により値が異なることが分かった。また、約100～2000cm/sと熱酸化されたSi/SiO_2界面としては比較的大きい値となった。 |
| 抄録(英) | The microwave reflectance photoconductivity decay (μ-PCD) method is high speed, highly sensitive and non-contact lifetime measurement. In this study, to characterize interface of Silicon On Insulator (SOI), we attempted interface-recombination-velocity measurement for SOI wafers by μ-PCD. We measured lifetime, suppressing interface recombination by applying voltage between SOI and the substrate. Then interface-recombination velocity was estimated by comparing two lifetime values with and without voltage application. We characterized various bonded SOI wafers. We found that the value is greatly different between samples and even depending on position in the same sample. The value is from 100 to 2000 cm/s, relatively large as that for thermally oxidized Si/SiO_2 interfaces. |
| キーワード(和) | 反射μ波光導電減衰法 / ライフタイム / SOI / 界面再結合速度 |
| キーワード(英) | μ-PCD / lifetime / SOI / interface recombination velocity |
| 資料番号 | ED2002-40 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/5/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電界印加μ-PCD法を用いたSOIウェハの界面再結合速度測定(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interface recombination velocity measurements for SOI wafers by μ-PCD with electric field |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 反射μ波光導電減衰法 / μ-PCD |
| キーワード(2)（和/英） | ライフタイム / lifetime |
| キーワード(3)（和/英） | SOI / SOI |
| キーワード(4)（和/英） | 界面再結合速度 / interface recombination velocity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | ★山 年雄 / Toshio Kuwayama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Engineering,Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Engineering,Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / Eisuke Arai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Engineering,Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2002/5/17 |
| 資料番号 | ED2002-40 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 77 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |