| 講演名 | 2002/5/17 GeC/SiへのC取り込みに対する低温成長とIBADの効果(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 沖仲 元毅, 宮武 耕志, 浜名 康全, 徳田 崇, 太田 淳, 布下 正宏, |
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| 抄録(和) | GeC/Si(001)の置換位置C組成増大を目的として、MBE法による非平衡結晶成長を強調するために、成長温度の低温化とAr^+イオン照射によるIBAD(Ion Beam Assisted Deposition)を試みた。XRDとラマン分光測定の結果から成長温度の低温化が置換位置C組成増大だけでなく、Cクラスターの抑制に効果があることがわかった。多結晶化した成長温度T_s≤350℃でも高い置換位置C組成を得た。IBADの効果として、Af^+イオンの加速電圧が200Vのとき置換位置C組成の増大と結晶性の向上が可能であった。 |
| 抄録(英) | The effects of low temperature growth and ion beam assisted deposition (IBAD) on C incorporation into MBE growth GeC/Si (001) substrates were investigated. By decreasing the growth temperature, substitutional C composition increased and the formation of C clusters was suppressed. By means of IBAD, the Ar^+ ion bombardment at bias voltage V_b=200V induces both increase of substitutional C composition and better crystalline quality. For V_b≥400V the crystalline quality deteriorated. Lower growth temperature and IBAD with an appropriate V_b were effective to increase substitutional C compositionin in GeC epilayers. |
| キーワード(和) | GeC / アークプラズマガン / Cクラスター / ラマンシフト / IBAD(Ion Beam AssistedD Deposition) |
| キーワード(英) | GeC / Arc plasma gun / C cluster / Raman shift / IBAD (Ion Beam Assisted Deposition) |
| 資料番号 | ED2002-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/5/17(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GeC/SiへのC取り込みに対する低温成長とIBADの効果(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The effects of low temperature growth and IBAD on C incorporation into GeC epilayers on Si(001)substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GeC / GeC |
| キーワード(2)（和/英） | アークプラズマガン / Arc plasma gun |
| キーワード(3)（和/英） | Cクラスター / C cluster |
| キーワード(4)（和/英） | ラマンシフト / Raman shift |
| キーワード(5)（和/英） | IBAD(Ion Beam AssistedD Deposition) / IBAD (Ion Beam Assisted Deposition) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 沖仲 元毅 / M OKINAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 宮武 耕志 / K MIYATAKE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浜名 康全 / Y HAMANA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 徳田 崇 / T TOKUDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 太田 淳 / J OHTA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 布下 正宏 / M NUNOSHITA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科 Graduate School of Materials Science, Nara Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2002/5/17 |
| 資料番号 | ED2002-37 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 77 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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