| 講演名 | 2002/5/17 GaAsSbのMOCVD成長とCBr_4によるCドーピング(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 小田 康裕, 渡邊 則之, 小林 隆, |
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| 抄録(和) | GaAsSbにCドープする際に、CBr_4がGaAsSbの成長に与える影響について検討を行った。CBr_4を添加すると、エッチング作用によりGaAsSbの成長速度が低下し、また、GaAsSb中のGa・AsサイトとGa-Sbサイトとで、成長速度の低下率に差があるために組成がAs richになる事が明らかになった。CドープGaAsSbのホール濃度の熱的安定性について調べたところ、アニール後にホール濃度の増加が見られた。増加を生じさせる反応の活性化エネルギーを求め、SIMSによるアニールによる結晶内水素濃度の測定結果から、CドープGaAsSbにおいても水素によるCアクセプタ不活性化が生じていると思われる。 |
| 抄録(英) | We investigated influence of partial pressure of CBr_4 on growth of GaAsSb by MOCVD. Because of etching effect by CBr_4, growth rate of GaAsSb decreased as partial pressure of CBr_4 increased. Additionally, Sb content in GaAsSb also decreased. These phenomena are caused by difference between etching rate of Ga-As and Ga-Sb in GaAsSb. Next, we attempted to explain increase in hall concentration after annealing in C-doped GaAsSb. Carbon acceptors in GaAsSb may combine with hydrogens, partially, and de-active in MOCVD growth. These C-H combinations are cut by thermal energy, the carbon acceptors become re-active. |
| キーワード(和) | MOCVD / GaAsSb / CBr_4 / Cドープ / アクセプタ不活性化 |
| キーワード(英) | MOCVD / GaAsSb / CBr_4 / C-doped / acceptor passivation |
| 資料番号 | ED2002-35 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/5/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAsSbのMOCVD成長とCBr_4によるCドーピング(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | C-doped GaAsSb grown by MOCVD with CBr_4 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | GaAsSb / GaAsSb |
| キーワード(3)（和/英） | CBr_4 / CBr_4 |
| キーワード(4)（和/英） | Cドープ / C-doped |
| キーワード(5)（和/英） | アクセプタ不活性化 / acceptor passivation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小田 康裕 / Yasuhiro ODA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡邊 則之 / Noriyuki WATANABE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 隆 / Takashi KOBAYASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories Nippon Telegraph and Telephone Corporation |
| 発表年月日 | 2002/5/17 |
| 資料番号 | ED2002-35 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 77 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |