| 講演名 | 2002/5/17 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 小泉 淳, 藤原 康文, 井上 堅太郎, 吉兼 豪勇, 竹田 美和, |
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| 抄録(和) | pn制御したGaInP/EL,O共添加GaAs/GaInP構造を有機金属気相エピタキシャル法により作製し、その電流注入による発光特性を評価した。Er添加には原料にEr(i-PrCp)_3を、酸素添加にアルゴンで希釈した^18O_2を用いた。GaAs:Er,O層とGaInP層は、両者の界面での中間層の形成を抑制するために、ともに540℃で成長した。SIMS測定による深さプロファイルからErは活性層にあたる深さの範囲のみに選択的に添加され、その濃度分布は活性層内で均一であることがわかった。活性層でのEr濃度は、8x10^18cm^-3程度であった。室温EL測定から、1.54μm帯に鋭いEr-2Oの発光線が観測され、GaAs:Er,O層に電流注入したキャリアによるEr-2O発光中心の励起とその発光を確認した。 |
| 抄録(英) | GaInP/Er,O-codoped GaAs/GaInP light-emitting diodes (LED) have been grown by organometallic vapor phase epitaxy. Er,O-codoping was carried out with trisisopropylcyclopentadienylerbium (Er(i-PrCp)_3) as an Er source with an addition of ^18O_2. Er,O-codoped GaAs (GaAs:Er,O) and GaInP layers were all grown at 540℃ to prevent the formation of interface layers between GaAs and GaInP. In-depth profiles showed a uniform distribution of Er along the growth direction in the GaAs:Er,O active layer. The Er concentration in the GaAs:Er,O active layer was evaluated to be about 8 × 10^18 cm^-3 In room-temperature electroluminescence measurements, GaInP/GaAs:Er,O/GaInP LED exhibited sharp intra-4f shell 1.54 μm luminescence due to Er-2O centers. This suggests that injected carriers in the GaAs:Er,O active layer contribute to excitation of the Er-2O centers. |
| キーワード(和) | エルビウム / 酸素 / エレクトロルミネッセンス / GaAs / GaInP |
| キーワード(英) | Erbium / Oxygen / Electroluminescence / GaAs / GaInP |
| 資料番号 | ED2002-34 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/5/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electroluminescence properties of Er,O-codoped GaAs/GaInP grown by OMVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エルビウム / Erbium |
| キーワード(2)（和/英） | 酸素 / Oxygen |
| キーワード(3)（和/英） | エレクトロルミネッセンス / Electroluminescence |
| キーワード(4)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(5)（和/英） | GaInP / GaInP |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小泉 淳 / Atsushi KOIZUMI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering,Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤原 康文 / Yasufumi FUJIWARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering,Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井上 堅太郎 / Kentaro INOUE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering,Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 吉兼 豪勇 / Taketoshi YOSHIKANE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering,Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 竹田 美和 / Yoshikazu TAKEDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering,Nagoya University |
| 発表年月日 | 2002/5/17 |
| 資料番号 | ED2002-34 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 77 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |