| 講演名 | 2002/5/17 エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(<小特集>III族窒化物研究の最前線) 岡田 尚晃, 田口 裕規, 板倉 健太郎, 曽我 哲夫, 神保 孝志, 梅野 正義義, |
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| 抄録(和) | SeS_2を用いてSiとGaAsの接着を行った.この方法による接着は非常に強固なもので,様々なプロセスに耐えることができる.エピタキシャルリフトオフ法により,Si基板上にGaAs薄膜のみを残し,薄膜の評価をPL法,TRPL法を用いて行った.TRPL測定の結果,少数キャリアライフタイムはSi基板上にヘテロエピタキシャル成長したGaAsよりも長いことが分かった.また,この方法を使ってSi基板上GaAs薄膜太陽電池を作製し,AM0,27℃の条件の下でI-V測定を行った.得られた効率はGaAs基板上GaAs太陽電池のものに比べ,低かった,しかし,この原因の多くは,接着時の影響ではなく,InGaP窓層の上に成長するGaAsの結晶品質が劣っていることにあることが分かった. |
| 抄録(英) | A new method of chemical bonding for GaAs on Si has been developed using SeS_2. The bonding between GaAs and Si is very robust and withstands many processing steps. Using the epitaxial lift off (ELO) technique the thin film of GaAs is grafted to Si substrate. The film bonded by this method has longer minority carrier lifetime than heteroepitaxial GaAs film on Si. I-V characteristic of bonded solar cell measurement at AM 0, 1 sun and 27℃, has lower efficiency than homoepitaxial cell. The reason of low efficiency is not due to the bonding process but low-quality GaAs grown on InGaP epi layer. |
| キーワード(和) | 接着 / GaAs on Si / エピタキシャルリフトオフ / 太陽電池 |
| キーワード(英) | Bonding / GaAs on Si / epitaxial lift off / Solar Cell |
| 資料番号 | ED2002-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/5/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(<小特集>III族窒化物研究の最前線) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of GaAs Solar Cell on Si by epitaxial lift off techniques |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 接着 / Bonding |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs on Si / GaAs on Si |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャルリフトオフ / epitaxial lift off |
| キーワード(4)（和/英） | 太陽電池 / Solar Cell |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡田 尚晃 / N Okada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technolog |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田口 裕規 / H Taguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学:レシップ(株) Nagoya Institute of Technolog:LECIP Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 板倉 健太郎 / K Itakura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technolog |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 曽我 哲夫 / T Soga |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technolog |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / T Jimbo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technolog |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 梅野 正義義 / M Umeno |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学:中部大学 Nagoya Institute of Technolog:Chubu University |
| 発表年月日 | 2002/5/17 |
| 資料番号 | ED2002-33 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 77 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |