講演名 2003/3/10
スピントロニクスデバイス、MRAMの課題(特別ワークショップ : スピンエレクトロニクスとその応用)
與田 博明, 田原 修一,
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抄録(和) まず、MRAMとHDDの類似性を動作原理、開発方向、応用の点から裏づけた。次ぎに、MRAM開発の方向性を見極めるために、HDD発展の過程を分析し、それが記録効率、再生効率、それと熱擾乱耐性の点でのイノベーションにより達成されたことを示した。最後に、演鐸的にMRAMの課題について言及し、イノベーション技術候補について紹介する。
抄録(英) First, MRAM and HDD were pointed to have similarity in operation principle, technology trend, and application. Next, progress in HDD technologies was analyzed in order to identify technological essentials of MRAM and improvements in writing efficiency, reading efficiency, and thermal stability were found three innovation points for HDD's recent progress. Finally, issues of MRAM were deducted and examples of the solution were introduced.
キーワード(和) スピントロニクス / MRAM / HDD / TMR / 熱擾乱
キーワード(英) Spintronics / MRAM / TMR / Thermal agitation
資料番号 ED2002-308
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2003/3/10(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) スピントロニクスデバイス、MRAMの課題(特別ワークショップ : スピンエレクトロニクスとその応用)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Issues of MRAM, as a Spintronics device
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) スピントロニクス / Spintronics
キーワード(2)(和/英) MRAM / MRAM
キーワード(3)(和/英) HDD / TMR
キーワード(4)(和/英) TMR / Thermal agitation
キーワード(5)(和/英) 熱擾乱
第 1 著者 氏名(和/英) 與田 博明 / Hiroaki YODA
第 1 著者 所属(和/英) 株式会社東芝 セミコンダクター社、SoC研究開発センター
SoC Research and Development Center, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 田原 修一 / Shuichi TAHARA
第 2 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
Silicon System Research Laboratories, NEC Corporation
発表年月日 2003/3/10
資料番号 ED2002-308
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 723
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日