| 講演名 | 2003/1/10 K帯MMICドライバ増幅器 小野 直子, 小野寺 賢, 新井 一弘, 山口 恵一, 井関 裕二, |
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| 抄録(和) | 整合回路内にフィルタを持つK帯HEMT MMICドライバ増幅器を開発した。本MMICは、所望周波数帯域内のリプルを低減する目的で、整合回路部に高域通過フィルタを採用した。フィルタは、高周波電流が流れる領域に置かれるため、高周波領域での電流分布に対し適するレイアウトを持つことが望まれる。ここでは、まず高周波領域で優れた特性を持つフィルタの回路レイアウトを提示する。我々は3種の異なるレイアウトを持つフィルタの高周波特性を、評価基板を用いて評価し、最適なレイアウトを持つフィルタを求めた。最適なフィルタは、2つのキャパシタと1つの抵抗の並列接続で構成され、抵抗が中心に位置し、抵抗の両側にキャパシタが位置するレイアウトを持つタイプであった。次に、適するフィルタを持つK帯MMICドライバ増幅器を試作した。増幅器は、26.0GHzで、利得21.6dB、安定化係数K28.9、入力電圧定在波比1.63、出力電圧定在波比1.92、1dB圧縮点での出力電力22.6dBmという特性を得た。 |
| 抄録(英) | A K-band monolithic driver amplifier with filter circuits has been developed. A high-pass filter circuit is often adopted in matching circuits of the amplifier in order to reduce ripple within the desired frequency band. It is necessary for the filter circuit to have suitable layout for current distribution in high-frequency range, because the filter circuit is placed in the area that an RF current passes. In this paper, we present a novel high-pass filter circuit layout, which has superior characteristics in the high-frequency range. We evaluated in detail the high-frequency characteristics of the filter circuit test element groups for three types of layout. It was found that the filter circuit with the best layout consists of two capacitors and one resistor, which are placed with parallel connections. The resistor is located at center and the capacitors are located at both sides of the resistor. An MMIC test sample, a K-band monolithic amplifier with suitable filter circuits, was fabricated. The amplifier had a gain of 21.6 dB,a Rollett stability factor K of 28.9, an input VSWR of 1.63, an output VSWR of 1.92, and a 1 dB compressed output power of 22.6 dBm at 26.0 GHz. |
| キーワード(和) | K帯 / ドライバ増幅器 / フィルタ / HEMT |
| キーワード(英) | K-band / Driver Amplifier / Filter Circuit / HEMT |
| 資料番号 | ED2002-274,MW2002-161 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2003/1/10(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | K帯MMICドライバ増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | K-band Monolithic GaAs HEMT Driver Amplifiers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | K帯 / K-band |
| キーワード(2)（和/英） | ドライバ増幅器 / Driver Amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | フィルタ / Filter Circuit |
| キーワード(4)（和/英） | HEMT / HEMT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小野 直子 / Naoko ONO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 研究開発センター Corporate Research & Development Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小野寺 賢 / Ken ONODERA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 小向工場 Komukai Operations |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 新井 一弘 / Kazuhiro ARAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 小向工場 Komukai Operations |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山口 恵一 / Keiichi YAMAGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 研究開発センター Corporate Research & Development Center |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 井関 裕二 / Yuji ISEKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 研究開発センター Corporate Research & Development Center |
| 発表年月日 | 2003/1/10 |
| 資料番号 | ED2002-274,MW2002-161 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 557 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |