| 講演名 | 2003/1/9 非対称LDD構造を用いた26V動作高出力1.1W/mm GaAs/InGaP複合チャネルFET 中田 健, 増山 竜二, 中島 成, |
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| 抄録(和) | InGaP FETの電子輸送特性を改善するためにGaAs/InGaP複合チャネルFETを提唱してきた。今回GaAs/InGaP複合チャネルFETに非対称LDD構造を適用し、さらにゲート・ドレイン間距離(Lgd)を最適化することにより、2端子耐圧を50Vまで改善し高電圧動作を可能とした。結果としてSi-LDMOSと同等の26V動作時に1.1W/mmの高出力特性を達成した。高電圧動作化により3次相互変調歪み特性(IM3)も従来のGaAs FETと比較して13dBの改善が確認された。 |
| 抄録(英) | An GaAs/InGaP composite channel has been proposed in order to improve the electron transport properties of InGaP FET. Adaptation LDD structure and optimization of gate drain distance improve breakdown voltage and make possible high voltage operation. This novel FET indicates high output power density, 1.1W/mm, and enables high voltage operation such as 26V. This FET shows better distortion characteristics than conventional GaAs MESFET. Third order intermediation (IM3) was improved beyond 13dB. |
| キーワード(和) | InGaP / 高電圧動作 / 高出力 / 歪み特性 |
| キーワード(英) | InGaP / High voltage operation / High Power / Low distortion |
| 資料番号 | ED2002-268,MW2002-155 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2003/1/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 非対称LDD構造を用いた26V動作高出力1.1W/mm GaAs/InGaP複合チャネルFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1.1W/mm High Power GaAs/InGaP Composite Channel FET with Asymmetrical LDD structure at 26V Operation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaP / InGaP |
| キーワード(2)（和/英） | 高電圧動作 / High voltage operation |
| キーワード(3)（和/英） | 高出力 / High Power |
| キーワード(4)（和/英） | 歪み特性 / Low distortion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中田 健 / Ken Nakata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電気工業オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 増山 竜二 / Ryuji Masuyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電気工業オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中島 成 / Shigeru Nakajima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電気工業オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd |
| 発表年月日 | 2003/1/9 |
| 資料番号 | ED2002-268,MW2002-155 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 556 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |