| 講演名 | 2003/1/9 GSM/EDGEデュアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール 山本 和也, 浅田 智之, 鈴木 敏, 三浦 猛, 井上 晃, 宮國 晋一, 大辻 順, 服部 亮, 宮崎 行雄, 紫村 輝之, |
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| 抄録(和) | GSM/EDGEデュアルモード,900/1800/1900MHz帯携帯電話用3.5V動作HBT-MMIC電力増幅器モジュールに関して報告する.本モジュールは, MMIC上に作製したバンド切替バイアススイッチ回路及びベース-コレクタダイオードスイッチ回路を用いることにより,900MHz帯電力増幅器と1800/1900MHz帯電力増幅器のバンド切替動作のみならずGSM及びEDGEの両動作モードの切替を行う.実験結果は,次の通りである.GSMモードにおいては,900帯で出力電力35.5dBm,電力付加効率約50%,1800/1900MHz帯で出力電力33.4dBm,電力付加効率約45%を得た.またEDGEモードにおいては,ベクトル誤差4%以下,受信帯域雑音-83dBm/100kHz以下を満足した条件で,900帯では出力電力29.5dBm,電力付加効率25%以上,1800/1900MHz帯では出力電力28.5dBm,電力付加効率25%以上の特性を得た. |
| 抄録(英) | This paper describes a 3.5-V operation HBT MMIC power amplifier module for use in GSM/EDGE dual-mode, 900/1800/1900-MHz triple band handset applications. The module consists of base-collector diode switches and a band select switch built on the MMIC as well as two HBT-MMIC power amplifiers with their bias circuits to realize dual-mode operation for GSM and EDGE. With he module delivers a output power of 35.5 dBm and a power-added efficiency (PAE) of about 50% for GSM900, a 33.4-dBm output power and a 45% PAE for GSM1800/1900. While satisfying an error vector magnitude (EVM) of less than 4% and a receive-band noise power of less than-83 dBm/100 kHz, the module also delivers a 29.5 dBm output power and a PAE of over 25% for EDGE900, a 28.5 dBm output power and a PAE of over 25% for EDGE1800/1900. |
| キーワード(和) | GSM / EDGE / デュアルモード / HBT / MMIC / 電力増幅器 |
| キーワード(英) | GSM / EDGE / Dual-mode / HBT / MMIC / Power Amplifier |
| 資料番号 | ED2002-267,MW2002-154 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2003/1/9(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GSM/EDGEデュアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A GSM//EDGE Dual-Mode, 900/1800/1900-MHz Triple-Band HBT-MMIC Power Amplifier Module |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GSM / GSM |
| キーワード(2)（和/英） | EDGE / EDGE |
| キーワード(3)（和/英） | デュアルモード / Dual-mode |
| キーワード(4)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(5)（和/英） | MMIC / MMIC |
| キーワード(6)（和/英） | 電力増幅器 / Power Amplifier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山本 和也 / Kazuya YAMAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 High-Frequency & Optaical Semiconductor Division, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅田 智之 / Tomoyuki ASADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 High-Frequency & Optaical Semiconductor Division, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 敏 / Satoshi SUZUKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 High-Frequency & Optaical Semiconductor Division, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三浦 猛 / Takeshi MIURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 High-Frequency & Optaical Semiconductor Division, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 井上 晃 / Akira INOUE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 High-Frequency & Optaical Semiconductor Division, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宮國 晋一 / Shinichi MIYAKUNI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 High-Frequency & Optaical Semiconductor Division,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 大辻 順 / Jun OTSUJI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 High-Frequency & Optaical Semiconductor Division, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 服部 亮 / Ryo HATTORI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 High-Frequency & Optaical Semiconductor Division, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 宮崎 行雄 / Yukio MIYAZAKI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 High-Frequency & Optaical Semiconductor Division, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 紫村 輝之 / Teruyuki SHIMURA |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部 High-Frequency & Optaical Semiconductor Division, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2003/1/9 |
| 資料番号 | ED2002-267,MW2002-154 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 556 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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