| 講演名 | 2003/1/9 Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET 井上 隆, 笠原 健資, 宮本 広信, 安藤 裕二, 岡本 康宏, 中山 達峰, 葛原 正明, |
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| 抄録(和) | SiC基板上に作製したAlGaN/GaNヘテロ接合FETで、初めてワット級のKa帯パワー動作を確認したので報告する。短チャネルGaN系FETにおける高耐圧、大電流、高利得といった特長を生かして、ゲート幅0.36mmの単チップでKa帯において出力2Wを超えるパワー動作の最高記録を達成した。試作したゲート幅100μmのFETのMSGが、ゲート長0.07μmでは30GHzにおいて10.5dB(60GHzにおいて8.2dB)、ゲート長0.25μmでは30GHzにおいて9.2dB(60GHzにおいて6.2dB)と良好であったことから、短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETはKa帯あるいはそれ以上の周波数における様々な高出力応用に有望であると考えられる。 |
| 抄録(英) | This paper describes the first successful watt-level Ka-band power-operation of an AlGaN/GaN heterojunction FET fabricated on a SiC substrate. Taking advantage of the high breakdown voltage, high-current, and high-gain characteristics of the short-channel GaN-based FET, state-of-the-art Ka-band high-power performance of more than 2W has been achieved employing a single chip having a gate width of 0.36mm. The fabricated FET with a gate-width of 100μm exhibited an MSG of 10.5dB at 30GHz (8.2dB at 60GHz) for a gate-length of 0.07μm and 9.2dB at 30GHz (6.2dB at 60GHz) for a gate-length of 0.25μm, indicating that the short-channel AlGaN/GaN heterojunction FET is promising for a variety of high-power applications at Ka-band and above. |
| キーワード(和) | Ka帯 / AlGaN / GaN / ヘテロ接合FET / T型ゲート / SiC基板 |
| キーワード(英) | Ka-band / AlGaN / GaN / Heterojunction FET / T-shaped Gate / SiC Substrate |
| 資料番号 | ED2002-265,MW2002-152 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2003/1/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ka帯2.3W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ka-band 2.3W Power AlGaN/GaN Heterojunction FET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ka帯 / Ka-band |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロ接合FET / Heterojunction FET |
| キーワード(5)（和/英） | T型ゲート / T-shaped Gate |
| キーワード(6)（和/英） | SiC基板 / SiC Substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井上 隆 / Takashi INOUE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NECラボラトリーズ光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 笠原 健資 / Kensuke KASAHARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NECラボラトリーズ光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮本 広信 / Hironobu MIYAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NECラボラトリーズ光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Labs.,NEC Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 安藤 裕二 / Yuhji ANDO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NECラボラトリーズ光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Labs.,NEC Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 岡本 康宏 / Yasuhiro OKAMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NECラボラトリーズ光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中山 達峰 / Tatsuo NAKAYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NECラボラトリーズ光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / Masaaki KUZUHARA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | NECラボラトリーズ光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories |
| 発表年月日 | 2003/1/9 |
| 資料番号 | ED2002-265,MW2002-152 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 556 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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