| 講演名 | 2003/1/9 110GHz超広帯域フリップチップ分布型増幅器 増田 哲, |
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| 抄録(和) | インバーテドマイクロストリップ線路を用いることにより超広帯域なInP HEMT分布型増幅器を開発した。試作した増幅器は、一方は利得14.5dB,3dB帯域幅94GHz(利得帯域積:500GHz)を他方は利得7.5dB,3dB帯域幅110GHzを達成した。さらに、フリップチップ実装を行い、フリップチップ実装後の特性はベアチップ特性と概ね一致することを確認し、W帯まで動作する超広帯域なパッケージICが実現可能であることを示した。 |
| 抄録(英) | We successfully developed state of the art InP HEMT distributed amplifiers by using inverted microstrip line technology. For one, we achieved a gain of 14.5 dB and a 94-GHz 3-dB bandwidth resulting in a gain-bandwidth product of 500 GHz, and for the other we achieved a gain of 7.5 dB and a 3-dB bandwidth of over 110 GHz. This technology also demonstrates the capability of fabricating ultra-broadband packaged IC's with flip-chip assembly for operation up to the W-band. |
| キーワード(和) | インバーテドマイクロストリップ線路 / フリップチップ / 分布型増幅器 / InP HEMT |
| キーワード(英) | Inverted microstrip line / flip-chip / distributed amplifiers / InP HEMT |
| 資料番号 | ED2002-262,MW2002-149 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2003/1/9(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 110GHz超広帯域フリップチップ分布型増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Flip-chip Distributed Amplifier with a bandwidth of 110 GHz |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | インバーテドマイクロストリップ線路 / Inverted microstrip line |
| キーワード(2)（和/英） | フリップチップ / flip-chip |
| キーワード(3)（和/英） | 分布型増幅器 / distributed amplifiers |
| キーワード(4)（和/英） | InP HEMT / InP HEMT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 増田 哲 / Satoshi MASUDA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2003/1/9 |
| 資料番号 | ED2002-262,MW2002-149 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 556 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |