講演名 2003/1/9
40Gb/s光通信用ダブルリセス構造0.1μmゲートInP-HEMT
星 真一, 森口 浩伸, 伊藤 正紀, 大島 知之, 角谷 昌紀, 市岡 俊彦,
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抄録(和) 良好な高周波特性と高耐圧特性を併せ持つダブルリセス構造0.1μmゲートInP-HEMTを開発した。リセス構造の最適化により、チャネル内最大電界強度の緩和、及びソース抵抗の低減を図ることで、g_m/g_d比26、ソース・ドレイン間耐圧(BV_)4V、f_T210GHz、f_351GHzという優れたデバイス特性を実現した。本デバイスを用いた29段リング発振器を3インチウェハ上に作製し、SCFLインバータ1段当たりの遅延時間を評価したところ、5.8±0.05ps/gateと高速かつ均一性の良い値が得られた。同様に1/2分周器ICの試作を行い、40GHz以上の最高動作周波数を達成した。本デバイスは40Gb/s光通信用ICの基本素子として有望である。
抄録(英) We have developed a double-recessed 0.1-μm-gate InP-based high electron mobility transistor (DR-HEMT) with good RF performance and high breakdown characteristics. By optimizing the recessed-gate structure for the DR-HEMT to suppress the maximum electric field strength in the channel and to reduce the source resistance (R_s), we have obtained excellent device characteristics of a transconductance over drain conductance gain (g_m/g_d) of 26, a drain-to-source breakdown voltage (BV_) of 4 V, a current gain cutoff frequency (f_T) of 210 GHz and a maximum oscillation frequency (f_) of 351 GHz. The 29-stage SCFL ring oscillator implemented by the DR-HEMTs shows high-speed performance with good uniformity of the propagation delay (t_) of 5.8±0.05 ps/gate within a 3-inch wafer. We have also fabricated a 1/2 static frequency divider IC based on SCFL and achieved a maximum operation frequency over 40 GHz. We have confirmed that the DR-HEMT is promising for 40 Gb/s optical communication systems.
キーワード(和) InP-HEMT / ダブルリセス構造 / ソース抵抗 / ドレインコンダクタンス / SCFL / インバータ遅延時間 / 1 / 2分周器IC
キーワード(英) InP-based HEMT / double-recessed-gate structure / source resistance / drain conductance / SCFL / propagation delay / 1 / 2 static frequency divider IC
資料番号 ED2002-260,MW2002-147
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2003/1/9(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 40Gb/s光通信用ダブルリセス構造0.1μmゲートInP-HEMT
サブタイトル(和)
タイトル(英) Double-recessed O.1-μm-gate InP-HEMTs for 40-Gb/s Optical Communication Systems
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) InP-HEMT / InP-based HEMT
キーワード(2)(和/英) ダブルリセス構造 / double-recessed-gate structure
キーワード(3)(和/英) ソース抵抗 / source resistance
キーワード(4)(和/英) ドレインコンダクタンス / drain conductance
キーワード(5)(和/英) SCFL / SCFL
キーワード(6)(和/英) インバータ遅延時間 / propagation delay
キーワード(7)(和/英) 1 / 1
キーワード(8)(和/英) 2分周器IC / 2 static frequency divider IC
第 1 著者 氏名(和/英) 星 真一 / Shinichi HOSHI
第 1 著者 所属(和/英) 沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
Optical Components, Oki Electric Industry Co., Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 森口 浩伸 / Hironobu MORIGUCHI
第 2 著者 所属(和/英) 沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
Optical Components, Oki Electric Industry Co., Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 伊藤 正紀 / Masanori ITOH
第 3 著者 所属(和/英) 沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
Optical Components, Oki Electric Industry Co., Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 大島 知之 / Tomoyuki OHSHIMA
第 4 著者 所属(和/英) 沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
Optical Components, Oki Electric Industry Co., Ltd.
第 5 著者 氏名(和/英) 角谷 昌紀 / Masanori TSUNOTANI
第 5 著者 所属(和/英) 沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
Optical Components, Oki Electric Industry Co., Ltd.
第 6 著者 氏名(和/英) 市岡 俊彦 / Toshihiko ICHIOKA
第 6 著者 所属(和/英) 沖電気工業オプティカルコンポーネントカンパニー
Optical Components,Oki Electric Industry Co., Ltd.
発表年月日 2003/1/9
資料番号 ED2002-260,MW2002-147
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 556
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日