| 講演名 | 2003/1/9 InP HEMTを用いた超高速デジタルIC 鈴木 俊秀, 中舎 安宏, 加納 英樹, 澤田 憲, 牧山 剛三, 高橋 剛, 西 真弘, 廣瀬 達哉, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 0.13μmInP系HEMT技術を用いて,光通信用デジタルICを開発した.信号品質を向じさせるために,ジッタの原因となる信号反射を発生させないようインピーダンスマッチングを考慮した配線設計を行った.また差動信号に対して対称なレイアウトにすることによりフリンジング容量低減を図った.これらの設計を用いることにより,フルレートの4:1マルチプレクサ(MUX)において47Gbit/s動作,1:4デマルチプレクサ回路において50Gbit/s動作を実現した.また2:1マルチプレクサ回路において90Gbit/s動作に成功し,InP HENT技術の持つ高いポテンシャルを示した. |
| 抄録(英) | In this paper, we describe ultra high-speed digital ICs for optical communication systems In order to suppress the degradation of signal and to increase the operational speed, we designed interconnections of the circuit by using impedance matching techniques. In addition, we employed symmetrical design about differential signals to reduce fringing capacitance. We fabricated digital ICs in a O.13-μm InP HEMT technology, which has cutoff frequency of 175 GHz. By using this design, we succeeded in 47 Gbit/s operation of a 4 : 1 Multiplexer (MUX), 50 Gbit/s operation of a 1 : 4 Demultiplexer (DEMUX) and 90-Gbit/s operation of a 2 : 1 MUX. |
| キーワード(和) | InP系HEMT / 配線設計 / 超高速デジタル回路 / マルチプレクサ / デマルチプレクサ |
| キーワード(英) | InP HEMT / Design of interconnection / Ultra high-speed digital circuit / Multiplexer / Demultiplexer |
| 資料番号 | ED2002-257,MW2002-144 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2003/1/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InP HEMTを用いた超高速デジタルIC |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultra high-speed digital ICs using InP HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP系HEMT / InP HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 配線設計 / Design of interconnection |
| キーワード(3)（和/英） | 超高速デジタル回路 / Ultra high-speed digital circuit |
| キーワード(4)（和/英） | マルチプレクサ / Multiplexer |
| キーワード(5)（和/英） | デマルチプレクサ / Demultiplexer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 俊秀 / Toshihide SUZUKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中舎 安宏 / Yasuhiro NAKASHA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 加納 英樹 / Hideki KANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 澤田 憲 / Ken SAWADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 牧山 剛三 / Kozo MAKIYAMA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高橋 剛 / Tsuyoshi TAKAHASHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 西 真弘 / Masahiro NISHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通カンタムデバイス(株) Fujitsu Quantum Devices Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 廣瀬 達哉 / Tatsuya HIROSE |
| 第 8 著者 所属（和/英） | (株)富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2003/1/9 |
| 資料番号 | ED2002-257,MW2002-144 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 556 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |