| 講演名 | 2003/1/9 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術 遠藤 聡, 山下 良美, 篠原 啓介, 彦坂 康己, 松井 敏明, 冷水 佐壽, 三村 高志, |
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| 抄録(和) | 極微細ゲートを有するInP系HEMTにおいて、ウエットエッチングによる2段階リセス法を用いてゲート・チャネル間距離dを短縮し、dによる遮断周波数f_Tの変化を調べた。ゲート長25nmの格子整合系HEMTにおいて、dの短縮とともにf_Tは増大しd=4nmではf_T=500GHzに達した。これはdの短縮により、ゲート電極直下の電子速度が増大するためである。またゲート長25nmの歪みチャネル系HEMTにおいて、格子整合系と同一プロセスを用いてd=4nmまで短縮したところf_T=562GHzが得られた。このf_Tは現存するトランジスタにおいて最高の値である。 |
| 抄録(英) | We fabricated decananometer-gate InP-based lattice-matched (In_<0.52>Al_<0.48>As/In_<0.53>Ga_<0.47>As) and pseudomorphic (In_<0.52>Al_<0.48>As/In_<0.7>Ga_<0.3>As) high electron mobility transistors (HEMTs) with a very short gate-channel distance. Using the two-step-recessed gate technique, we reduced the gate-channel distance to 4 nm. We found that the cutoff frequency f_T increases with decreasing gate-channel distance d. This phenomenon can be explained by an increase in electron velocity under the gate with decreasing d. We obtained an f_T of 500 GHz for a 25-nm-gate lattice-matched HEMT with a d of 4 nm. We also fabricated 25-nm-gate pseudomorphic HEMTs using the same processing technique, and obtained an f_T of 562 GHz with a d of 4 nm. This f_T is the highest value ever reported for any transistor. |
| キーワード(和) | InP系HEMT / 2段階リセス / ゲート・チャネル間距離 / 遮断周波数 / f_T / 電子速度 |
| キーワード(英) | InP-based HEMT / Two-step-recessed gate / Gate-channel distance / Cutoff frequency / f_T / Electron velocity |
| 資料番号 | ED2002-256,MW2002-143 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2003/1/9(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication Technology for Ultrahigh-Speed Decananometer-Gate InP-Based HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP系HEMT / InP-based HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 2段階リセス / Two-step-recessed gate |
| キーワード(3)（和/英） | ゲート・チャネル間距離 / Gate-channel distance |
| キーワード(4)（和/英） | 遮断周波数 / Cutoff frequency |
| キーワード(5)（和/英） | f_T / f_T |
| キーワード(6)（和/英） | 電子速度 / Electron velocity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 遠藤 聡 / Akira ENDOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山下 良美 / Yoshimi YAMASHITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 篠原 啓介 / Keisuke SHINOHARA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 通信総合研究所 Communications Research Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 彦坂 康己 / Kohki HIKOSAKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 松井 敏明 / Toshiaki MATSUI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 通信総合研究所 Communications Research Laboratory |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 冷水 佐壽 / Satoshi HIYAMIZU |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学大学院基礎工学研究科 Graduate School of Engineering Science, Osaka University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 三村 高志 / Takashi MIMURA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2003/1/9 |
| 資料番号 | ED2002-256,MW2002-143 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 556 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |