| 講演名 | 2003/1/9 高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBTの開発 川崎 健, 山日 竜二, 小谷 謙司, 柳沢 昌輝, 八重樫 誠司, 矢野 浩, |
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| 抄録(和) | 高均一、高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBTの開発を行った。HBTはシングルヘテロ構造であり、エミッタ-ベース間のリーク電流を低減するためにInPパッシベーション構造を採用した。また、デバイスへのダメージを低減するため、ウエットエッチングのみでHBTメサを形成した。コレクタ電流密度が1mA/μm^2におけるHBTの電流増幅率、遮断周波数、最大発振周波数はそれぞれ、45.4、151.1GHz、171.8GHzであった。また、これらの3インチ面内における均一性はそれぞれ2.8%、2.6%、1.5%と良好な特性を示した。また、高温通電試験を行ったところ、通電初期の特性変動がほとんど見られず、活性化エネルギー1.5eV、接合温度150℃における平均寿命5x10^6時間と、実使用に十分耐えうる信頼性を確認した。 |
| 抄録(英) | We have successfully developed an InP/InGaAs HBT fabrication process that shows high uniformity and high reliability of device characteristics. The device is a single-heterojunction bipolar transistor with InP passivation structure to reduce emitter-base leakage current. HBT mesas are formed only by wet chemical etching not to damage device characteristics. The HBT exhibits the current gain, cutoff frequency, and maximum oscillation frequency of 45.4, 151.1GHz, and 171.8GHz at a collector current density of 1 mA/μm^2, respectively. The uniformities of those parameters over a 3-inch diameter wafer are only 2.8%,2.6%, and 1.5%, respectively. The HBT has shown stable characteristics in life tests and we have obtained the activation energy of 1.5eV and mean time to failure of 5x10^6 hours at a junction temperature of 150℃, which is enouh for practical applications. |
| キーワード(和) | HBT / ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / InP / InGaAs / 均一性 / 信頼性 |
| キーワード(英) | HBT / Heterojunction Bipolar Transistor / InP / InGaAs / Uniformity / Reliability |
| 資料番号 | ED2002-255,MW2002-142 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2003/1/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBTの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of InP/InGaAs Single-Heterojunction Bipolar Transistor with High Uniformity and High Reliability |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / Heterojunction Bipolar Transistor |
| キーワード(3)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(4)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(5)（和/英） | 均一性 / Uniformity |
| キーワード(6)（和/英） | 信頼性 / Reliability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川崎 健 / Takeshi KAWASAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D Labs., Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山日 竜二 / Ryuji YAMABI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D Labs., Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小谷 謙司 / Kenji KOTANI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D Labs., Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 柳沢 昌輝 / Masaki YANAGISAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D Labs., Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 八重樫 誠司 / Seiji YAEGASSI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D Labs., Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 矢野 浩 / Hiroshi YANO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所 Optoelectronics R&D Labs., Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 発表年月日 | 2003/1/9 |
| 資料番号 | ED2002-255,MW2002-142 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 556 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |