講演名 | 2002/12/6 強誘電体を用いた電界放出型赤外線検出素子 高室 大介, 高尾 英邦, 澤田 和明, 石田 誠, |
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抄録(和) | 我々は,真空中に保持したPZT(強誘電体)に赤外線を照射し,PZTの自発分極値変化に伴い,PZT表面(負に帯電している面)から,そのまま電子を放出させる新しい赤外線センサを提案してきた.PZTへの赤外線照射により,照射エネルギーに応じた放出電流が観測された.また,この原理を用いて,電子放出型の赤外線イメージセンサを製作した.このイメージセンサは,PZTのフォトカソード,マイクロチャネルプレート,蛍光板で構成されている.実験では,PZT全体に赤外線を照射し,PZTの形の発光を確認した. |
抄録(英) | We propose a new electron emission type infrared light sensor, which is used a principle of a field emission from a PZT thin plate. The PZT thin plate acts a field emitter and an Aluminum(Al) is an anode electrode. The PZT plate was irradiated by infrared light in a vacuum chamber. The electron emission current was proportional to the incident infrared light energy. Using the principle, we fabricated prototype infrared light image sensor. This imager was constructed with the PZT photocathode. a Micro Channel Plate and a fluorescent substrate. An infrared light was irradiated to the whole PZT thin plate. and we confirmed a fluorescence of the PZT thin plate shape. |
キーワード(和) | 電子放出型 / 赤外線センサ / 強誘電体 / 焦電体 / 赤外線イメージャー |
キーワード(英) | Electron Emission Type / Infrared Sensor / Ferroelectric / Pyroelectric / Infrared Imager |
資料番号 | ED2002-253 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 2002/12/6(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 強誘電体を用いた電界放出型赤外線検出素子 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Electron Emission Type Infrared Light Sensor Using Ferroelectric Material |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 電子放出型 / Electron Emission Type |
キーワード(2)(和/英) | 赤外線センサ / Infrared Sensor |
キーワード(3)(和/英) | 強誘電体 / Ferroelectric |
キーワード(4)(和/英) | 焦電体 / Pyroelectric |
キーワード(5)(和/英) | 赤外線イメージャー / Infrared Imager |
第 1 著者 氏名(和/英) | 高室 大介 / Daisuke TAKAMURO |
第 1 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 高尾 英邦 / Hidekuni TAKAO |
第 2 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 澤田 和明 / Kazuaki SAWADA |
第 3 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 石田 誠 / Makoto ISHIDA |
第 4 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
発表年月日 | 2002/12/6 |
資料番号 | ED2002-253 |
巻番号(vol) | vol.102 |
号番号(no) | 502 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |