| 講演名 | 2002/12/6 Si FEAのHfC被覆による特性改善 : 引出ゲート付きHfC被覆Si FEAの作製と評価 佐藤 貴伸, 長尾 昌善, 松川 貴, 山内 洋美, 金丸 正剛, 伊藤 順司, 山本 恵彦, |
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| 抄録(和) | 我々はSiフィールドエミッタアレイ(Si FEA)の大電流放出と寿命改善を目指し、その特性改善を行った。Si FEAに化学的に不活性かつ超高融点であるハフニウムカーバイド(HfC)を被覆し、その電子放出特性の測定を行った。HfCは誘導コイル付マグネトロンスパッタリングを用いて成膜した。エミッタ作製に先立ちHfC膜の特性評価をX線光電子分光、X線回折などで行いHfとCの結合状態と膜の配向性、結晶粒の大きさを確認した。さらに作製したHfC FEAの電流-電圧特性、寿命特性を測定し、動作エミッタ数の変化の有無を拡大投影を行うことで確認した。その結果、Si FEAの20倍以上の電子放出が可能であり、放出時間経過における放出電流減少が抑制され、動作エミッタ数も約6倍に増加したことを確認した。また、駆動電圧についても15V以上低電圧化することが可能となった。 |
| 抄録(英) | We fabricated Hafnium carbide (HfC) coated Si field emitter arrays (FEAs) in order to improve the emission current and lifetime. As HfC has chemical inertness and extremely high melting point, it is suitable for cathode material. HfC film was prepared by inductively coupled magnetron sputtering and was characterized by X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray diffraction measurement. The emission characteristics of the HfC-coated FEA and non-coated Si FEA were compared. The operational voltage decreased from 61 to 46 V, and the ratio of active tips, which was evaluated by electro static lens projector, increased from 7 to 45 % by HfC coating. Detailed film characterization and emission characteristics are described. |
| キーワード(和) | Si FEA / 薄型ディスプレイ / FED / HfC / 真空マイクロエレクトロニクス / 表面改質 |
| キーワード(英) | Si FEA / Flat panel display / FED / HfC / Vacuum microelectronics / Surface modification |
| 資料番号 | ED2002-252 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/12/6(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si FEAのHfC被覆による特性改善 : 引出ゲート付きHfC被覆Si FEAの作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effective improvement of Si FEAs by HfC coating : Fabrication and evaluation of hafnium carbide coated Si field emitter arrays with an extraction-gate electrode |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si FEA / Si FEA |
| キーワード(2)（和/英） | 薄型ディスプレイ / Flat panel display |
| キーワード(3)（和/英） | FED / FED |
| キーワード(4)（和/英） | HfC / HfC |
| キーワード(5)（和/英） | 真空マイクロエレクトロニクス / Vacuum microelectronics |
| キーワード(6)（和/英） | 表面改質 / Surface modification |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 貴伸 / Takanobu SATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 筑波大学物理工学系 Institute of Applied Physics University of Tsukuba |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長尾 昌善 / Masayoshi NAGAO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松川 貴 / Takashi MATSUKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山内 洋美 / Hiromi YAMAUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 金丸 正剛 / Seigo KANEMARU |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 伊藤 順司 / Junji ITOH |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 山本 恵彦 / Shigehiko YAMAMOTO |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 筑波大学物理工学系 Institute of Applied Physics University of Tsukuba |
| 発表年月日 | 2002/12/6 |
| 資料番号 | ED2002-252 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 502 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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