| 講演名 | 2002/10/3 フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価 安藤 裕二, 岡本 康宏, 宮本 広信, 中山 達峰, 井上 隆, 葛原 正明, |
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| 抄録(和) | SiC基板上に、一体型フィールドプレート(FP)ゲートを有するAlGaN/GaN系ヘテロ接合FETを作製した。FP長(L_FP)増加と共に、耐圧が改善され、L_FP≧1μmにてImax>700mA/mm、BVgd>100Vを得た。また、動作電圧80Vまで電流コラプスは無視し得るレベルであった。オンウェーハ・ロードプル測定(f=2 GHz、CW)により、Wg=1mmのFP構造素子にて、Psat=7.1W、GL=15.3dB、PAE=56.0%を得た(Vdd=30V)。出力密度7.1W/mmはWg=1mmクラスのGaN系素子としては世界最高レベルの値である。 |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN heterojunction FETs with a field plate gate were fabricated on SiC substrates. As the overlapping gate length (L_FP) increases, the breakdown voltage is improved. Imax>700 mA/mm and BVgd>100 V were obtained for L_FP ≧1μm. Also, the current collapse was negligibly small for the operation voltage up to 80 V. On-wafer load-pull measurements (2 GHz, CW) showed 7.1 W saturated power, 15.3 dB linear gain, and 56.0 % PAE for a 1 mm-wide device (Vdd =30 V). To our knowledge, a power density of 7.1 W/mm is the highest achieved for 1-mm class GaN-based FETs. |
| キーワード(和) | GaN / Sic / FET / フィールドプレート |
| キーワード(英) | GaN / SiC / FET / Field plate |
| 資料番号 | ED2002-214 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/10/3(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of High Breakdown Voltage AlGaN/GaN Heterojunction FETs with a Field Plate Gate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | Sic / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(4)（和/英） | フィールドプレート / Field plate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安藤 裕二 / Yuji ANDO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岡本 康宏 / Yasuhiro OKAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮本 広信 / Hironobu MIYAMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中山 達峰 / Tatsuo NAKAYAMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 井上 隆 / Takashi INOUE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / Masaaki KUZUHARA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NEC 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 発表年月日 | 2002/10/3 |
| 資料番号 | ED2002-214 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 363 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |