講演名 2002/10/3
短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
井上 隆, 笠原 健資, 岡本 康宏, 安藤 裕二, 中山 達峰, 宮本 広信, 葛原 正明,
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抄録(和) 短チャネルAl_0.25Ga_0.75N/GaNヘテロ接合FETを試作した。ゲート長Lg=0.07μm,ゲート幅Wg=2×50μmにて、f_τ=81GHz、fmax=190GHz、MSG=8.2dB@60GHzと、良好な高周波特性を得ることができた。更に、本デバイスについて遅延時間解析を行った。寄生成分を効果的に除去する方法を用いることにより、電子平均速度v_a=1.75×10^7cm/sが算出された。
抄録(英) This paper reports excellent high-frequency characteristics of a short-channel AlGaN/GaN heterojunction FET. The fabricated FET with a gate-length (Lg) of 0.07μm and a gate-width (Wg) of 2×50μm exhibited a cut-off frequency (f_τ) of 81GHz and a maximum frequency of oscillation (fmax) of 190GHz with a maximum stable gain (MSG) of 8.2dB at 60GHz. An improved method for precise delay-time analysis was proposed. The analysis effectively extracted intrinsic delay-time τ_1 following a Moll's graphical method using intrinsic FET S-parameters. An electron average velocity (v_a) of 1.75×10^7 was calculated.
キーワード(和) 短チャネル / AlGaN/GaN / ヘテロ接合FET(HJFET) / 高周波特性 / 遅延時間
キーワード(英) Short-Channel / AlGaN/GaN / Heterojunction FET / High-Frequency Characteristics / Delay Time
資料番号 ED2002-213
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2002/10/3(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析
サブタイトル(和)
タイトル(英) High-Frequency Characteristics and Delay-Time Analysis of Short-Channel AlGaN/GaN Heterojunction FETs
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 短チャネル / Short-Channel
キーワード(2)(和/英) AlGaN/GaN / AlGaN/GaN
キーワード(3)(和/英) ヘテロ接合FET(HJFET) / Heterojunction FET
キーワード(4)(和/英) 高周波特性 / High-Frequency Characteristics
キーワード(5)(和/英) 遅延時間 / Delay Time
第 1 著者 氏名(和/英) 井上 隆 / Takashi INOUE
第 1 著者 所属(和/英) NECラボラトリーズ 光・無線デバイス研究所
Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories
第 2 著者 氏名(和/英) 笠原 健資 / Kensuke KASAHARA
第 2 著者 所属(和/英) NECラボラトリーズ 光・無線デバイス研究所
Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories
第 3 著者 氏名(和/英) 岡本 康宏 / Yasuhiro OKAMOTO
第 3 著者 所属(和/英) NECラボラトリーズ 光・無線デバイス研究所
Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories
第 4 著者 氏名(和/英) 安藤 裕二 / Yuhji ANDO
第 4 著者 所属(和/英) NECラボラトリーズ 光・無線デバイス研究所
Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories
第 5 著者 氏名(和/英) 中山 達峰 / Tatsuo NAKAYAMA
第 5 著者 所属(和/英) NECラボラトリーズ 光・無線デバイス研究所
Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories
第 6 著者 氏名(和/英) 宮本 広信 / Hironobu MIYAMOTO
第 6 著者 所属(和/英) NECラボラトリーズ 光・無線デバイス研究所
Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories
第 7 著者 氏名(和/英) 葛原 正明 / Masaaki KUZUHARA
第 7 著者 所属(和/英) NECラボラトリーズ 光・無線デバイス研究所
Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories
発表年月日 2002/10/3
資料番号 ED2002-213
巻番号(vol) vol.102
号番号(no) 363
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日