講演名 | 2002/10/3 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析 井上 隆, 笠原 健資, 岡本 康宏, 安藤 裕二, 中山 達峰, 宮本 広信, 葛原 正明, |
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抄録(和) | 短チャネルAl_0.25Ga_0.75N/GaNヘテロ接合FETを試作した。ゲート長Lg=0.07μm,ゲート幅Wg=2×50μmにて、f_τ=81GHz、fmax=190GHz、MSG=8.2dB@60GHzと、良好な高周波特性を得ることができた。更に、本デバイスについて遅延時間解析を行った。寄生成分を効果的に除去する方法を用いることにより、電子平均速度v_a=1.75×10^7cm/sが算出された。 |
抄録(英) | This paper reports excellent high-frequency characteristics of a short-channel AlGaN/GaN heterojunction FET. The fabricated FET with a gate-length (Lg) of 0.07μm and a gate-width (Wg) of 2×50μm exhibited a cut-off frequency (f_τ) of 81GHz and a maximum frequency of oscillation (fmax) of 190GHz with a maximum stable gain (MSG) of 8.2dB at 60GHz. An improved method for precise delay-time analysis was proposed. The analysis effectively extracted intrinsic delay-time τ_1 following a Moll's graphical method using intrinsic FET S-parameters. An electron average velocity (v_a) of 1.75×10^7 was calculated. |
キーワード(和) | 短チャネル / AlGaN/GaN / ヘテロ接合FET(HJFET) / 高周波特性 / 遅延時間 |
キーワード(英) | Short-Channel / AlGaN/GaN / Heterojunction FET / High-Frequency Characteristics / Delay Time |
資料番号 | ED2002-213 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 2002/10/3(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 短チャネルAlGaN/GaNヘテロ接合FETの高周波特性と遅延時間解析 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | High-Frequency Characteristics and Delay-Time Analysis of Short-Channel AlGaN/GaN Heterojunction FETs |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 短チャネル / Short-Channel |
キーワード(2)(和/英) | AlGaN/GaN / AlGaN/GaN |
キーワード(3)(和/英) | ヘテロ接合FET(HJFET) / Heterojunction FET |
キーワード(4)(和/英) | 高周波特性 / High-Frequency Characteristics |
キーワード(5)(和/英) | 遅延時間 / Delay Time |
第 1 著者 氏名(和/英) | 井上 隆 / Takashi INOUE |
第 1 著者 所属(和/英) | NECラボラトリーズ 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories |
第 2 著者 氏名(和/英) | 笠原 健資 / Kensuke KASAHARA |
第 2 著者 所属(和/英) | NECラボラトリーズ 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories |
第 3 著者 氏名(和/英) | 岡本 康宏 / Yasuhiro OKAMOTO |
第 3 著者 所属(和/英) | NECラボラトリーズ 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories |
第 4 著者 氏名(和/英) | 安藤 裕二 / Yuhji ANDO |
第 4 著者 所属(和/英) | NECラボラトリーズ 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories |
第 5 著者 氏名(和/英) | 中山 達峰 / Tatsuo NAKAYAMA |
第 5 著者 所属(和/英) | NECラボラトリーズ 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories |
第 6 著者 氏名(和/英) | 宮本 広信 / Hironobu MIYAMOTO |
第 6 著者 所属(和/英) | NECラボラトリーズ 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories |
第 7 著者 氏名(和/英) | 葛原 正明 / Masaaki KUZUHARA |
第 7 著者 所属(和/英) | NECラボラトリーズ 光・無線デバイス研究所 Photonic and Wireless Devices Research Labs., NEC Laboratories |
発表年月日 | 2002/10/3 |
資料番号 | ED2002-213 |
巻番号(vol) | vol.102 |
号番号(no) | 363 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |