| 講演名 | 2002/10/3 AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入 大石 敏之, 三浦 成久, 吹田 宗義, 南條 拓真, 阿部 雄次, 尾関 龍夫, 石川 博康, 江川 孝志, 神保 孝志, |
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| 抄録(和) | 質量の重い亜鉛イオンをGaNエピ膜のc軸方向に沿って注入することで高抵抗層を形成した。最大のシート抵抗およびその試料の活性化エネルギーはそれぞれ3E13Ω/sq、0.67eVで非常に高い値が得られた。しかし、500℃より高い熱処理を行うとシート抵抗が急激に減少し、活性化エネルギーも小さくなった。さらにAlGaN/GaN HEMTの素子分離に適用し、GaNエピと同様の高いシート抵抗(6.0E11Ω/sq)と良好なトランジスタ特性を得た。 |
| 抄録(英) | High sheet resistance of 3E13Ω/sq and high activation energy of 0.67eV were obtained for n^+-GaN layer implanted Zn ion along c-axis. By TRIM calculation, the implantation of heavy mass ion was observed to effectively transfer the energy to the nuclear and create a lot of vacancies. Anneal higher than 500℃ decreases the sheet resistance, which indicates that defects are formed by the damage. Zn implantation was applied to the isolation for AlGaN/GaN HEMT. High sheet resistance as well as that for n^+-GaN layer and good transistor characterization were obtained. |
| キーワード(和) | 亜鉛イオン注入 / 素子分離 / 高抵抗 / GaN / AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT) |
| キーワード(英) | Zn ion implantation / isolation / high resistivity / GaN / AlGaN/GaN HEMT |
| 資料番号 | ED2002-212 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/10/3(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High resistivity layer by implantation of Zn and its application to AlGaN/GaN HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 亜鉛イオン注入 / Zn ion implantation |
| キーワード(2)（和/英） | 素子分離 / isolation |
| キーワード(3)（和/英） | 高抵抗 / high resistivity |
| キーワード(4)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(5)（和/英） | AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT) / AlGaN/GaN HEMT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大石 敏之 / Toshiyuki OISHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三浦 成久 / Naruhisa MIURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吹田 宗義 / Muneyoshi SUITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 南條 拓真 / Takuma NANJO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 阿部 雄次 / Yuji ABE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 尾関 龍夫 / Tatsuso OZEKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機(株)先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / Takashi JIMBO |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター Research Center for Micro-Structure Devices, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2002/10/3 |
| 資料番号 | ED2002-212 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 363 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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