| 講演名 | 2002/10/3 GaNおよびAlGaNの表面組成と表面電子状態の関連性 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | P-GaNおよびn-AlGaN表面に対して、化学溶液処理・プラズマ処理プロセスを施し、表面組成と表面電子状態との相関を評価し、表面欠陥・準位の検討を行った。表面組成は、官然酸化膜、ドーパント、プロセス中の表面反応に大きく依存し、表面組成の変化が表面フェルミ準位位置、バンド曲がり、表面欠陥準位の形成と強い相関があることがわかった。 |
| 抄録(英) | Chemical and electronic properties of p-GaN and GaN/AlGaN surfaces after various types of wet and plasma treatments were investigated. Surface chemical properties greatly denend on natural oxides, dopants and processings. Change in surface composition affected Fermi level position, band bending and defect states at GaN-related materials. |
| キーワード(和) | p-GaN / AlGaN / 表面 / プラズマ / XPS |
| キーワード(英) | p-GaN / AlGaN / surface / plasma / XPS |
| 資料番号 | ED2002-209 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2002/10/3(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaNおよびAlGaNの表面組成と表面電子状態の関連性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Chemical and electronic properties of GaN and AlGaN Surfaces |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | p-GaN / p-GaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | 表面 / surface |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマ / plasma |
| キーワード(5)（和/英） | XPS / XPS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2002/10/3 |
| 資料番号 | ED2002-209 |
| 巻番号（vol） | vol.102 |
| 号番号（no） | 363 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |