| 講演名 | 2004/5/7 SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 森 健洋, 加藤 正史, 市村 正也, 荒井 英輔, 住江 伸吾, 橋爪 英久, |
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| 抄録(和) | 過剰キャリアライフタイムは半導体材料の結晶品質を反映する重要なパラメータである。それは、多くのデバイス、特にバイポーラデバイスや高周波デバイスに影響を与える。SiCはSiに代わる次世代半導体材料として注目されているが、ライフタイムが短いという問題があり広く実用化されるには至っていない。本研究では、ライフタイムに影響を与える因子を明らかにすることを目的とし、バルクSiCウェハのライフタイム測定を行い、その結果を構造欠陥分布やキャリア濃度分布と比較した。その結果、n型試料においてライフタイムが相対的に長い領域は構造欠陥が集中している領域に対応しており、逆にp型試料においてはライフタイムが相対的に短い領域が構造欠陥の集中している領域に対応していた。 |
| 抄録(英) | Excess carrier lifetime is an important parameter and reflects crystal quality of semiconductor materials. It affects most of semiconductor devices, especially bipolar devices and high frequency devices. Although SiC is a promising material for high power devices, it has short carrier lifetimes. In this study, we have measured carrier lifetimes in bulk SiC wafers, and have compared them with structural defect and carrier concentration distribution. It was found that relatively long lifetime regions correspond to regions with high density of structural defects in a n-type wafers. Conversely in p-type wafer, relatively short lifetime regions correspond to regions with high density of structural defects. |
| キーワード(和) | バルクSiCウェハ / 過剰キャリアライフタイム / μ-PCD法 / 構造欠陥 / キャリア濃度 |
| キーワード(英) | bulk SiC wafer / excess carrier lifetime / μ-PCD method / structural defect / carrier concentration |
| 資料番号 | ED2004-34,CPM2004-29,SDM2004-34 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/5/7(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Excess carrier lifetime measurements in SiC wafers and Its relationship with structural defect distribution |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | バルクSiCウェハ / bulk SiC wafer |
| キーワード(2)（和/英） | 過剰キャリアライフタイム / excess carrier lifetime |
| キーワード(3)（和/英） | μ-PCD法 / μ-PCD method |
| キーワード(4)（和/英） | 構造欠陥 / structural defect |
| キーワード(5)（和/英） | キャリア濃度 / carrier concentration |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森 健洋 / T. Mori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / M. Kato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / M. Ichimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / E. Arai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 住江 伸吾 / S. Sumie |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 橋爪 英久 / H. Hashizume |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学電気情報工学科 Dept. of Electrical and Computer Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/5/7 |
| 資料番号 | ED2004-34,CPM2004-29,SDM2004-34 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 42 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |