| 講演名 | 2004/5/7 CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 坂下 大祐, 石田 悠, 青木 徹, 富田 康弘, 畑中 義式, 天明 二郎, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 放射線イメージングデバイスの放射線検出素子としてダイシングにより0.8mm×2mm×0.5mmサイズのCdTe素子の作製を行った。ダイシング後表れた端面には表面電流が低く抑えられ、リーク電流を低くする効果が現れた。また、これらのCdTe素子を用いてCo57のエネルギースペクトルを測定したところ、122keVのピークについて、リーク電流の低いもの程半値幅が狭く、又はピークカウント数が大きい傾向が得られた。512個の均一な特性のCdTe素子を用いて512ピクセルイメージングデバイスを作製したところ、X線透過画像が得られた。 |
| 抄録(英) | We report on fabrication and performance of CdTe diode(M-π-n ,Size 0.8mm×2mm×0.5mm) for high energy radiation imaging device. Dicing CdTe wafer was added in fabrication process of CdTe diode. Result of dicing process, CdTe diodes showed lower leak current than before dicing. The surface exposed by dicing has an effect to reduce the leak current. For imaging applications, It was important that each CdTe detector shows uniformity property of energy spectrum. We cleared the relation between the leak current and FWHM of the 122keV peak of Co-57.The relation of CdTe diode showed the weak correlation property. We choose 512 uniformity CdTe diode detectors, and fabricated 512 pixels imaging device. Result of this fabrication, We obtain X-ray permeable image. |
| キーワード(和) | CdTe / 高エネルギー放射線 / イメージング |
| キーワード(英) | CdTe / High energy radiation / imaging |
| 資料番号 | ED2004-33,CPM2004-28,SDM2004-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2004/5/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of CdTe high energy radiation detector and imaging applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CdTe / CdTe |
| キーワード(2)（和/英） | 高エネルギー放射線 / High energy radiation |
| キーワード(3)（和/英） | イメージング / imaging |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 坂下 大祐 / Daisuke Sakashita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka Univ |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石田 悠 / Yu Ishida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka Univ |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / Toru Aoki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka Univ |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 富田 康弘 / Yasuhiro Tomita |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス(株) Hamamatsu Photonics |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 畑中 義式 / Yoshinori Hatanaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 愛知工科大学工学部 Aichi Univ. of Tech |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 天明 二郎 / Jiro Temmyo |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka Univ |
| 発表年月日 | 2004/5/7 |
| 資料番号 | ED2004-33,CPM2004-28,SDM2004-33 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 42 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |