| 講演名 | 2004/5/7 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 田中 正一, 加藤 正史, 市村 正也, 荒井 英輔, 中村 俊一, 木本 恒暢, |
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| 抄録(和) | SiCはその広いバンドギャップから高電力・高周波デバイス用素子として期待されている。一方でas-grown 4H-SiCにはZ_<1/2> centerなどの深い準位が含まれている。そこで本研究では4H-SiCオフ基板上にエピタキシャル成長させた4H-SiCエピ層に含まれる深い準位を評価した DLTS法を用いて深い準位の熱励起による活性化エネルギーを、光励起容量過渡応答法(O-CTS)より光励起による光励起エネルギーを測定した。その測定結果から、深い準位における基底状態と励起状態の断熱ポテンシャル曲線を示す配位座標を得た。 |
| 抄録(英) | Silicon carbide is a promising material for high power and high frequency devices because of its physical property. However, there are crystalline defects forming deep levels even in epitaxial layers. In this study we characterize deep levels in as-grown 4H-SiC epilayers on 4H-SiC off axis substrates. Thermal activation energies of the deep levels were measured by deep level transient Spectroscopy (DLTS) and optical excitation energies were measured by optical capacitance transient Spectroscopy (O-CTS). From these results we drew the configuration coordinate diagrams for which show the interaction between electrons and phonons at deep levels. |
| キーワード(和) | 4H-SiC epilayer / 深い準位 / DLTS / O-CTS / 配位座標 |
| キーワード(英) | 4H-SiC epilayer / deep level / DLTS / O-CTS / configuration coordinate diagram |
| 資料番号 | ED2004-31,CPM2004-26,SDM2004-31 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/5/7(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of deep levels in 4H-SiC epilayers by Optical Capacitance Transient Spectroscopy(O-CTS) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC epilayer / 4H-SiC epilayer |
| キーワード(2)（和/英） | 深い準位 / deep level |
| キーワード(3)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(4)（和/英） | O-CTS / O-CTS |
| キーワード(5)（和/英） | 配位座標 / configuration coordinate diagram |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 正一 / Shouichi TANAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi KATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 荒井 英輔 / Eisuke ARAI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中村 俊一 / Shun-ichi NAKAMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 Kyoto University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / Tsunenobu KIMOTO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科 Kyoto University |
| 発表年月日 | 2004/5/7 |
| 資料番号 | ED2004-31,CPM2004-26,SDM2004-31 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 42 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |