| 講演名 | 2004/5/7 電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 大本 郁, / 市村 正也, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 薄膜太陽電池用材料を低コストでなおかつ安価な装置で作製できる電気化学堆積法を用いて硫化スズ薄膜の作製と評価を行なった。印加電圧には3ステップパルスを用い、試料を走査型電子顕微鏡、オージェ電子分光法、X線回折法、光透過率さらに光電気化学測定によって評価した。堆積膜の表面モホロジ、原子組成比からパルス電圧の最適化を行なった。3ステップパルスを用いることで2ステップパルス印加に比べ表面モホロジが向上し、組成比が化学量論組成に近づいた。 |
| 抄録(英) | We deposited tin sulfide film by the electrochemical deposition (ECD) method which is able to make the thin films for solar cells with low cost and cheap equipment. We applied 3 step pulse voltage and charaterized deposited film by scanning electron microscope, Auger electron spectroscopy, X-ray diffraction, optical transmission and phtoelectrochemical measurement. By optimizing pulse voltage condition. Surface morphology was improved and the composition ratio of the film aproached stoichiometry compared with the conventional 2 step pulse. |
| キーワード(和) | 電気化学堆積法 / 硫化スズ(SnS) / 3ステップパルス電圧 / 光電気化学測定 |
| キーワード(英) | electrochemical deposition / tin sulfide / 3 step pulse voltage / photoelectrochemical measurement |
| 資料番号 | ED2004-28,CPM2004-23,SDM2004-28 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
|---|---|
| 開催期間 | 2004/5/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | deposition of tin sulfide films by the electrochemical method and their characterization |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電気化学堆積法 / electrochemical deposition |
| キーワード(2)（和/英） | 硫化スズ(SnS) / tin sulfide |
| キーワード(3)（和/英） | 3ステップパルス電圧 / 3 step pulse voltage |
| キーワード(4)（和/英） | 光電気化学測定 / photoelectrochemical measurement |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大本 郁 / Kaoru Omoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | / 市村 正也 / Naglaa Fathy |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/5/7 |
| 資料番号 | ED2004-28,CPM2004-23,SDM2004-28 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 42 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |