講演名 | 2004/5/7 光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 宮脇 哲哉, 小林 良平, 市村 正也, |
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抄録(和) | S_2O_2^<2->とZn^<2+>を含む水溶液から、光化学反応のみによりZnS薄膜をITO基板上に堆積させた。過剰Znの堆積を防ぐため次の二つの方法を試みた。(1)光照射をパルス状に断続的に行なう。(2)連続照射のまま溶液のZn^<2+>, S_2O_3^<2->濃度を最適化する。堆積された薄膜を表面粗さ計、分光光度計、オージェ電子分光法、光電気化学測定を使用して評価した。作製されたZnSはn型半導体の性質を持っていることが確認できた。しかし、パルス光照射の場合は僅かではあるがZnOも混入していることが判明した。 |
抄録(英) | ZnS films were deposited on ITO substrates in aqueous solutions containing S_2O_2^<2-> ions and Zn^<2+> ions only by photochemical reaction. To prevent deposition of excess Zn, the following two methods were examined. (1) Light illumination was performed intermittently, in a form of pulse. (2) Zn^<2+> ion and S_2O_2^<2-> ion concentrations were optimized in continuous illumination. The deposited films were characterized by a surface profilometer, an optical spectrometer, Auger electron spectroscopy and photoelectrochemical measurement. Deposited ZnS films have an n-type semiconducting property. In the case of pulse-light illumination, deposited films contained small amount of ZnO. |
キーワード(和) | 光化学堆積法 / パルス光照射 / 光電気化学測定 / ZnS / 水溶液 |
キーワード(英) | photochemical deposition / pulse-light illumination / photoelectrochemical measurement / ZnS / aqueous solution |
資料番号 | ED2004-27,CPM2004-22,SDM2004-27 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2004/5/7(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Deposition of ZnS thin films by the photochemical deposition method and their characterization |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 光化学堆積法 / photochemical deposition |
キーワード(2)(和/英) | パルス光照射 / pulse-light illumination |
キーワード(3)(和/英) | 光電気化学測定 / photoelectrochemical measurement |
キーワード(4)(和/英) | ZnS / ZnS |
キーワード(5)(和/英) | 水溶液 / aqueous solution |
第 1 著者 氏名(和/英) | 宮脇 哲哉 / Tetsuya MIYAWAKI |
第 1 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 小林 良平 / Ryohei KOBAYASHI |
第 2 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
第 3 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学 Nagoya Institute of Technology |
発表年月日 | 2004/5/7 |
資料番号 | ED2004-27,CPM2004-22,SDM2004-27 |
巻番号(vol) | vol.104 |
号番号(no) | 42 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |