講演名 2004/5/7
光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
宮脇 哲哉, 小林 良平, 市村 正也,
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抄録(和) S_2O_2^<2->とZn^<2+>を含む水溶液から、光化学反応のみによりZnS薄膜をITO基板上に堆積させた。過剰Znの堆積を防ぐため次の二つの方法を試みた。(1)光照射をパルス状に断続的に行なう。(2)連続照射のまま溶液のZn^<2+>, S_2O_3^<2->濃度を最適化する。堆積された薄膜を表面粗さ計、分光光度計、オージェ電子分光法、光電気化学測定を使用して評価した。作製されたZnSはn型半導体の性質を持っていることが確認できた。しかし、パルス光照射の場合は僅かではあるがZnOも混入していることが判明した。
抄録(英) ZnS films were deposited on ITO substrates in aqueous solutions containing S_2O_2^<2-> ions and Zn^<2+> ions only by photochemical reaction. To prevent deposition of excess Zn, the following two methods were examined. (1) Light illumination was performed intermittently, in a form of pulse. (2) Zn^<2+> ion and S_2O_2^<2-> ion concentrations were optimized in continuous illumination. The deposited films were characterized by a surface profilometer, an optical spectrometer, Auger electron spectroscopy and photoelectrochemical measurement. Deposited ZnS films have an n-type semiconducting property. In the case of pulse-light illumination, deposited films contained small amount of ZnO.
キーワード(和) 光化学堆積法 / パルス光照射 / 光電気化学測定 / ZnS / 水溶液
キーワード(英) photochemical deposition / pulse-light illumination / photoelectrochemical measurement / ZnS / aqueous solution
資料番号 ED2004-27,CPM2004-22,SDM2004-27
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2004/5/7(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
サブタイトル(和)
タイトル(英) Deposition of ZnS thin films by the photochemical deposition method and their characterization
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 光化学堆積法 / photochemical deposition
キーワード(2)(和/英) パルス光照射 / pulse-light illumination
キーワード(3)(和/英) 光電気化学測定 / photoelectrochemical measurement
キーワード(4)(和/英) ZnS / ZnS
キーワード(5)(和/英) 水溶液 / aqueous solution
第 1 著者 氏名(和/英) 宮脇 哲哉 / Tetsuya MIYAWAKI
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学
Nagoya Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 小林 良平 / Ryohei KOBAYASHI
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学
Nagoya Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 市村 正也 / Masaya ICHIMURA
第 3 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学
Nagoya Institute of Technology
発表年月日 2004/5/7
資料番号 ED2004-27,CPM2004-22,SDM2004-27
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 42
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日