| 講演名 | 2004/5/7 ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 中川 聡, 中村 篤志, 青木 徹, 天明 二郎, |
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| 抄録(和) | 高効率紫外発光デバイスを実現するために、ZnO量子ドット作製の研究を行った。Si(100)に熱酸化で形成したSiO_2基板上に、RPE-MOCDV法を用いてZnO量子ドットの作製を行った。III族原料にDEZn,VI族原料に酸素ガスを用いて、成長速度の変化、基板前処理を行うことで、ZnO量子ドットのサイズ及び形成密度の影響について検討を行った。また、フォトルミネッセンス評価により、ZnO薄膜とZnO量子ドットの特性を比較し、ZnO量子ドットの光学的評価を行った。成長前の基板のプラズマ処理がZnO量子ドットのサイズ、形成密度に影響を持つことを見い出した。さらに、Si(100)/SiO_2基板上でのZnOの成長モードであるVWモードを示した。 |
| 抄録(英) | ZnO quantum dots have been investigated for high efficiency ultraviolet emitting devices. The ZnO quantum dots were grown on SiO_2 substrate using Remote Plasma Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Depositon (RPE-MOCVD). Diethyl Zinc(DEZn) was used for a II group source and oxygen gas was used for a VI group source. The dots size and density were investigated by changing the growth rate and plasma treatment of substrate surface. Optical property of ZnO quantum dots was characterized by photoluminescence measurement, compared with that of ZnO film. Plasma treatment of the substrate surface has an influence on the initial formation of ZnO quantum dots. |
| キーワード(和) | ZnO / 量子ドット / リモートプラズマMOCVD / プラズマ処理 / VWモード |
| キーワード(英) | ZnO / quantum dots / remote plasma MOCVD / plasma processing / VW mode |
| 資料番号 | ED2004-25,CPM2004-20,SDM2004-25 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/5/7(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influence of substrate conditions on ZnO quantum dots |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドット / quantum dots |
| キーワード(3)（和/英） | リモートプラズマMOCVD / remote plasma MOCVD |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマ処理 / plasma processing |
| キーワード(5)（和/英） | VWモード / VW mode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中川 聡 / Satoshi NAKAGAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 篤志 / Atsushi NAKAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青木 徹 / Toru AOKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 天明 二郎 / Jiro TEMMYO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2004/5/7 |
| 資料番号 | ED2004-25,CPM2004-20,SDM2004-25 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 42 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |