講演名	2004/5/7 リモートプラズマ励起MOCVD法を用いたCdSe量子ドット形成の研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 小山 貴士, 青木 徹, 天明 二郎,
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抄録(和)	リモートプラズマMOCVD法を用いてCdSe/ZnSe量子ドット及びGaAs(100)基板上への量子ドットの形成を試みた。CdSe層の膜厚は成長時間を変化させることにより制御した。AFMによる表面形状等の観察を行ったところ、CdSe層が臨界膜厚付近堆積したサンプルで最も高密度のドットが観察された。ZnSeよりもより表面が平坦なGaAs(100)基板上でもCdSeドットを観察することができた。このCdSeドットのサイズ分布は拡散しており、その形状は扁平した形になることがわかった。またアニールによってこのドットサイズを揃える効果があることがわかった。
抄録(英)	CdSe/ZnSe and CdSe/GaAs quantum dots were grown by using remote plasma MOCVD. The thickness of CdSe layers was controlled by deposition time and growth rate. The Dots density was depended on the CdSe layer thickness. At critical thickness of CdSe layer, high density CdSe dots were formed. The CdSe dots shape was depends on the growth substrates. An annealing process had a role of the adjusting the dots size.
キーワード(和)	CdSe / ZnSe / 自己形成量子ドット / リモートプラズマMOCVD
キーワード(英)	CdSe / ZnSe / Self-assembled Quantum Dot / remote plasma MOCVD
資料番号	ED2004-24,CPM2004-19,SDM2004-24
発行日

研究会情報
研究会	CPM
開催期間	2004/5/7(から1日開催)
開催地（和）
開催地（英）
テーマ（和）
テーマ（英）
委員長氏名（和）
委員長氏名（英）
副委員長氏名（和）
副委員長氏名（英）
幹事氏名（和）
幹事氏名（英）
幹事補佐氏名（和）
幹事補佐氏名（英）

講演論文情報詳細
申込み研究会	Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語	JPN
タイトル（和）	リモートプラズマ励起MOCVD法を用いたCdSe量子ドット形成の研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
サブタイトル（和）
タイトル（英）	CdSe quantum dots formation using remote plasma MOCVD
サブタイトル（和）
キーワード(1)（和/英）	CdSe / CdSe
キーワード(2)（和/英）	ZnSe / ZnSe
キーワード(3)（和/英）	自己形成量子ドット / Self-assembled Quantum Dot
キーワード(4)（和/英）	リモートプラズマMOCVD / remote plasma MOCVD
第 1 著者 氏名（和/英）	小山 貴士 / Takashi KOYAMA
第 1 著者 所属（和/英）	静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University
第 2 著者 氏名（和/英）	青木 徹 / Toru AOKI
第 2 著者 所属（和/英）	静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University
第 3 著者 氏名（和/英）	天明 二郎 / Jiro TEMMYO
第 3 著者 所属（和/英）	静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University
発表年月日	2004/5/7
資料番号	ED2004-24,CPM2004-19,SDM2004-24
巻番号（vol）	vol.104
号番号（no）	42
ページ範囲	pp.-
ページ数	6
発行日