| 講演名 | 2004/5/7 Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 石川 靖彦, 長田 浩平, 池田 浩也, 田部 道晴, |
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| 抄録(和) | 約2nmの厚さの単結晶SiとSiO_2からなる共鳴トンネル構造に対して、Siポテンシャル井戸層の横方向サイズを縮小・ドット化した効果を低温での電流-電圧(I-V)測定により評価した。ドット化していない通常の層構造では、共鳴トンネル効果による負性微分抵抗が観測された。これに対して,ドット化した構造では、低電圧領域で明瞭な階段状の電流変化が観測された。階段状のI-V特性は、ドット化による容量減少による単一電子トンネル(クーロン階段)と考えられる。 |
| 抄録(英) | Effect of lateral size of Si potential well on electron tunneling through Si/SiO_2 double-barrier structure was studied. In the ordinary layered structure, a negative differential conductance due to the resonant tunneling was observed. In contrast, the diodes containing Si dots as the potential well showed staircases in the I-V curve. The staircase is ascribed to the single electron tunneling (Coulomb staircase) due to the reduction of capacitance. |
| キーワード(和) | Si/SiO_2 / 二重障壁構造 / Siドット / 共鳴トンネル / 単電子トンネル |
| キーワード(英) | Si/SiO_2 / Double-barrier structure / Si dot / Resonant tunneling / Single electron tunneling |
| 資料番号 | ED2004-23,CPM2004-18,SDM2004-23 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2004/5/7(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Dot Formation in Si/SiO_2 Resonant Tunneling Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si/SiO_2 / Si/SiO_2 |
| キーワード(2)（和/英） | 二重障壁構造 / Double-barrier structure |
| キーワード(3)（和/英） | Siドット / Si dot |
| キーワード(4)（和/英） | 共鳴トンネル / Resonant tunneling |
| キーワード(5)（和/英） | 単電子トンネル / Single electron tunneling |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石川 靖彦 / Yasuhiko ISHIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長田 浩平 / Kohei OSADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 池田 浩也 / Hiroya IKEDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田部 道晴 / Michiharu TABE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2004/5/7 |
| 資料番号 | ED2004-23,CPM2004-18,SDM2004-23 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 42 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |